公开(公告)号：CN116525686A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310171593.7

申请日：2023-02-22

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 韩超 ,  苑广安 ,  汤晓燕 ,  宋庆文 ,  王东 ,  吴勇 ,  陶利 ,  黄雨

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种Mesa沟槽终端耦合U型平面结的雪崩型SiC‑TVS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、负电极和正电极，SiC衬底的两侧呈对称的台阶状，SiC衬底包括第一上表面、第二上表面和位于第一上表面与第二上表面之间的Mesa侧边，SiC外延层位于第二上表面上，SiC外延层的两侧分别位于第一上表面与第二上表面102之间的侧壁延长线上，SiC外延层包括N‑区、U型平面PN结和P+区，其中，P+区通过离子注入的方式形成在SiC外延层上表面内部，U型平面PN结位于P+区与N‑区之间。本发明通过设计SiC‑TVS器件的两侧呈Mesa沟槽耦合U型平面PN结，有效降低了器件的表面电场，使得雪崩击穿发生在SiC‑TVS器件内部，解决了击穿不稳定的问题，保障了SiC‑TVS的击穿和钳位可靠性。

公开(公告)号：CN118231479A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410250075.9

申请日：2024-03-05

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 韩超 ,  黄雨 ,  白博仪 ,  汤晓燕 ,  周瑜 ,  张玉明

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及一种沟槽型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括：SiC衬底层；SiC外延层，SiC外延层包括第一基区和若干发射区，第一基区设置于SiC衬底层上，若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，第一电极包括若干发射极和若干基极，每个发射区上设置一发射极，相邻两个发射区之间的第一基区上设置一基极，其中，所有发射极与所有基极短接；第二电极，设置在SiC衬底层的下表面。本发明的器件可以有效地降低正偏P/N结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积，大幅提高了器件的钳位响应速度，使得响应时间达到纳秒级。

公开(公告)号：CN116705830A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310442684.X

申请日：2023-04-20

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 韩超 ,  苑广安 ,  汤晓燕 ,  陶利 ,  黄雨 ,  王东 ,  吴勇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种雪崩型SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：SiC衬底层、设置于SiC衬底层的第二上表面上的SiC外延层、设置于第二掺杂区的上表面的第一电极、设置于SiC衬底层的下表面的第二电极，SiC衬底层具有第一上表面、位于第一上表面上方的第二上表面、以及位于第一上表面和第二上表面之间的Mesa侧壁，SiC外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上。本发明通过控制Mesa刻蚀角度即可调整正斜角的角度，使之达到可最大化降低表面电场的优值，提高了本发明SiC‑TVS器件的击穿和钳位可靠性。

公开(公告)号：CN116666459A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310574169.7

申请日：2023-05-17

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 韩超 ,  汤晓燕 ,  苑广安 ,  黄雨 ,  陶利 ,  白博仪 ,  王东 ,  吴勇

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种能够实现快速响应的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区以及嵌入在基区上表面且彼此间隔的若干个发射区，发射区与SiC衬底具有相同的掺杂类型，发射区与基区具有相反的掺杂类型；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基区上表面的若干个基极短接组成，其中，若干个发射极与若干个基极交替接触设置；第二电极位于SiC衬底的下表面。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。

公开(公告)号：CN116581148A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310688461.1

申请日：2023-06-09

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 韩超 ,  黄雨 ,  汤晓燕 ,  苑广安 ,  白博仪 ,  陶利 ,  王东 ,  吴勇

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区、嵌入在基区上表面交替分布的若干个发射区和若干个基极接触区，发射区与SiC衬底掺杂类型相同，与基区相反；基极接触区与基区掺杂类型相同，与SiC衬底相反；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基极接触区上表面的若干个基极短接组成。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区和基极接触区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。