公开(公告)号：CN115863472A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211460588.X

申请日：2022-11-17

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 曹艳荣 ,  吕航航 ,  马毛旦 ,  王志恒 ,  许晟瑞 ,  吕玲 ,  习鹤 ,  郑雪峰 ,  陈川 ,  张新祥 ,  吴琳姗

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0304

摘要： 本发明涉及一种片上可集成的氮化镓基雪崩光电探测器及其制备方法，包括：制备P型掺杂的氮化镓层；在P型掺杂的氮化镓层上制备第一N型掺杂的氮化镓层；在第一N型掺杂的氮化镓层上制备第二N型掺杂的氮化镓层；在第二N型掺杂的氮化镓层上沉积阴极材料形成阴极；通过有机键合方法将外延片的阴极键合在SOI衬底上；在P型掺杂的氮化镓层上沉积阳极材料形成阳极；在P型掺杂的氮化镓层两端内制备硅局部氧化隔离层，且硅局部氧化隔离层的底端位于第一N型掺杂的氮化镓层内。本发明利用半导体键合技术及使用Ⅲ‑Ⅴ族材料与SOI衬底设计，提高了器件的集成度和性能，解决了衬底外延晶体质量差的问题，器件具有深紫外波段探测能力和更强抗辐射特性。