基于肖特基二极管精确电路模型的混频器参数确定方法

    公开(公告)号:CN104217075A

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201410427944.7

    申请日:2014-08-27

    Abstract: 基于肖特基二极管精确电路模型的混频器参数确定方法,先建立四种情况下的二极管三维模型,计算得到对应的四组S参数矩阵;再建立四种情况下的二极管等效电路模型,计算得到对应的四组S参数矩阵,用这四组S参数矩阵依次拟合建立的四种情况下的三维模型的S参数矩阵,得到完整的二极管等效电路模型的各个参数值;然后比较由等效电路模型得到的嵌入阻抗值与由三维模型得到的嵌入阻抗值来确定集总等效参数是否收敛,建立完整的二极管等效电路模型;最后将该等效电路模型代入混频器模型,确定混频器,实现对太赫兹频率大气传播特性及衰减特性的成像探测。

    基于肖特基二极管精确电路模型的混频器参数确定方法

    公开(公告)号:CN104217075B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201410427944.7

    申请日:2014-08-27

    Abstract: 基于肖特基二极管精确电路模型的混频器参数确定方法,先建立四种情况下的二极管三维模型,计算得到对应的四组S参数矩阵;再建立四种情况下的二极管等效电路模型,计算得到对应的四组S参数矩阵,用这四组S参数矩阵依次拟合建立的四种情况下的三维模型的S参数矩阵,得到完整的二极管等效电路模型的各个参数值;然后比较由等效电路模型得到的嵌入阻抗值与由三维模型得到的嵌入阻抗值来确定集总等效参数是否收敛,建立完整的二极管等效电路模型;最后将该等效电路模型代入混频器模型,确定混频器,实现对太赫兹频率大气传播特性及衰减特性的成像探测。

Patent Agency Ranking