公开(公告)号：CN118515314A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410737448.5

申请日：2024-06-07

Applicant: 西安近代化学研究所

Inventor： 李钧卓 ,  罗一鸣 ,  王红星 ,  巨荣辉 ,  蒋秋黎 ,  王玮 ,  蒙君煚 ,  张蒙蒙 ,  李秉擘 ,  李冲

IPC: C01G41/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，该方法以二水合钨酸钠、甘氨酸和浓盐酸为原料通过水热法制备中间产物WO3；然后以中间产物WO3为前驱体，通过气固相反应法对前驱体进行原位硫化，制得雪花状二硫化钨纳米材料。雪花状二硫化钨纳米材料呈现为雪花状结构，雪花状结构中的二硫化钨薄片的成长度为2～8μm，厚度小于100nm。本发明的制备方法制得的雪花状WS2纳米材料具有WS2片层平行堆叠的形貌，因而具有较大的比表面积和更多的活性位点。本发明基于WO3前驱体的固有形貌，以雪花状WO3为前驱体，利用含硫气氛对金属氧化物的原位硫化反应，制备了雪花状WS2纳米材料。