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公开(公告)号：CN108865179A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810941942.8
申请日：2018-08-17
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种液晶组合物及包含其的高频组件，液晶组合物包含1～100％化合物0～85％化合物0～50％化合物本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。
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公开(公告)号：CN108753312B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810730343.1
申请日：2018-07-05
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种液晶化合物、制备方法及含有此液晶化合物的组合物以及包含此液晶介质的高频组件，以解决现有技术综合性能较低的问题。液晶化合物的结构为：液晶组合物包括小于等于100％且不为零的0％～65％的0％～50％的本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。本发明提供一种具有宽工作温度范围、低损耗和高调谐率的液晶高频组件。
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公开(公告)号：CN108865180A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810942685.X
申请日：2018-08-17
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种液晶组合物及包含其的高频组件。液晶组合物包括1％～100％化合物0～65％化合物0～90％化合物其中，R1～R3分别是烷基、烷氧基、氟代烷基或链烯基；X1、X2是‑H、‑CH3、‑CH2CH3或‑Cl中的一种且至少有一个是‑CH3、‑CH2CH3或‑Cl中的一种；X3～X9是‑H或者‑F；Z1、Z2是单键、双键、三键、‑CH2CH2‑、‑COO‑中的一种；环A为苯环或环己烷，当A为环己烷时为反式结构；m、n、P为0或者1且m和n不能同时为1。本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。
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公开(公告)号：CN108517217B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810731146.1
申请日：2018-07-05
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种炔类液晶化合物、制备方法及含此化合物的组合物及包含此液晶介质的高频组件，以解决现有技术综合性能较低的问题。液晶化合物结构为：液晶组合物包括小于等于80％且不为零的0～65％的0～60％的本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。本发明提供一种具有宽工作温度范围、低损耗和高调谐率的液晶高频组件。
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公开(公告)号：CN108517217A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810731146.1
申请日：2018-07-05
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种炔类液晶化合物、制备方法及含此化合物的组合物及包含此液晶介质的高频组件，以解决现有技术综合性能较低的问题。液晶化合物结构为：液晶组合物包括小于等于80％且不为零的 0～65％的0 ～ 6 0 ％ 的本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。本发明提供一种具有宽工作温度范围、低损耗和高调谐率的液晶高频组件。
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公开(公告)号：CN108822869A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810940832.X
申请日：2018-08-17
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氯液晶化合物及其组合物，以及包含此化合物和组合物的高频组件。液晶化合物的结构通式如(Ⅰ)所示：液晶组合物包括小于等于100％且不为零的通式(Ⅰ)所示的化合物、0～85％的通式(Ⅱ)所示化合物和0～50％的通式(Ⅲ)所示化合物 本发明液晶化合物不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有较宽的向列相温度范围，适用于滤波器、微波天线、移相器以及相控阵雷达等领域。本发明还提供一种具有低损耗、高调谐率、宽工作范围的液晶高频组件。
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公开(公告)号：CN108753312A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810730343.1
申请日：2018-07-05
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： C09K19/18 , C09K19/12 , C09K19/44 , C09K2019/122 , C09K2019/123 , C09K2019/181 , C09K2019/183
摘要： 本发明公开了一种液晶化合物、制备方法及含有此液晶化合物的组合物以及包含此液晶介质的高频组件，以解决现有技术综合性能较低的问题。液晶化合物的结构为：液晶组合物包括小于等于100％且不为零的0％～65％的0％～50％的本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。本发明提供一种具有宽工作温度范围、低损耗和高调谐率的液晶高频组件。
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公开(公告)号：CN108822869B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201810940832.X
申请日：2018-08-17
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氯液晶化合物及其组合物，以及包含此化合物和组合物的高频组件。液晶化合物的结构通式如(Ⅰ)所示：液晶组合物包括小于等于100％且不为零的通式(Ⅰ)所示的化合物、0～85％的通式(Ⅱ)所示化合物和0～50％的通式(Ⅲ)所示化合物本发明液晶化合物不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有较宽的向列相温度范围，适用于滤波器、微波天线、移相器以及相控阵雷达等领域。本发明还提供一种具有低损耗、高调谐率、宽工作范围的液晶高频组件。
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公开(公告)号：CN108865180B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201810942685.X
申请日：2018-08-17
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种液晶组合物及包含其的高频组件。液晶组合物包括1％～100％化合物0～65％化合物0～90％化合物其中，R1～R3分别是烷基、烷氧基、氟代烷基或链烯基；X1、X2是‑H、‑CH3、‑CH2CH3或‑Cl中的一种且至少有一个是‑CH3、‑CH2CH3或‑Cl中的一种；X3～X9是‑H或者‑F；Z1、Z2是单键、双键、三键、‑CH2CH2‑、‑COO‑中的一种；环A为苯环或环己烷，当A为环己烷时为反式结构；m、n、P为0或者1且m和n不能同时为1。本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。
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公开(公告)号：CN108865179B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810941942.8
申请日：2018-08-17
申请人： 西安近代化学研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种液晶组合物及包含其的高频组件，液晶组合物包含1～100％化合物0～85％化合物0～50％化合物本发明不仅具有低的介电损耗和高的品质因子，还具有宽的向列相温度区间的优点，适用于滤波器、移相器、相控阵雷达以及5G通信网路等领域。
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