公开(公告)号：CN114730568B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202080079729.6

申请日：2020-06-01

申请人： 西部数据技术公司

发明人： J·M·弗赖塔格 ,  高征 ,  冈村进 ,  安容彻 ,  A·彭特克 ,  A·贝尔

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/39

摘要： 在一个实施例中，一种写头包含主极。晶种层位于所述主极上方。自旋极化层(SPL)位于所述晶种层上方。间隔物层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述间隔物层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述后屏蔽物之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。在另一实施例中，一种写头包含主极。间隔物层位于所述主极上方。SPL位于所述间隔物层上方。罩盖层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述罩盖层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述主极之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。

公开(公告)号：CN114730568A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080079729.6

申请日：2020-06-01

申请人： 西部数据技术公司

发明人： J·M·弗赖塔格 ,  高征 ,  冈村进 ,  安容彻 ,  A·彭特克 ,  A·贝尔

IPC分类号： G11B5/31

摘要： 在一个实施例中，一种写头包含主极。晶种层位于所述主极上方。自旋极化层(SPL)位于所述晶种层上方。间隔物层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述间隔物层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述后屏蔽物之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。在另一实施例中，一种写头包含主极。间隔物层位于所述主极上方。SPL位于所述间隔物层上方。罩盖层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述罩盖层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述主极之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。