公开(公告)号：CN113348509A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080006792.7

申请日：2020-03-18

申请人： 西部数据技术公司

发明人： A·贡恰罗夫 ,  M·阿西夫巴舍 ,  P·A·范德赫登

IPC分类号： G11B5/11 ,  G11B5/31 ,  G11B5/65 ,  G11B5/706

摘要： 微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。

公开(公告)号：CN113348509B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202080006792.7

申请日：2020-03-18

申请人： 西部数据技术公司

发明人： A·贡恰罗夫 ,  M·阿西夫巴舍 ,  P·A·范德赫登

IPC分类号： G11B5/11 ,  G11B5/31 ,  G11B5/65 ,  G11B5/706

摘要： 微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。

公开(公告)号：CN115938399A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310032318.7

申请日：2020-03-18

申请人： 西部数据技术公司

发明人： A·贡恰罗夫 ,  M·阿西夫巴舍 ,  P·A·范德赫登

IPC分类号： G11B5/11 ,  G11B5/31 ,  G11B5/706 ,  G11B5/65

摘要： 本申请题为“具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头”。微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。