公开(公告)号：CN113168959B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201880099740.1

申请日：2018-11-26

申请人： 西门子能源全球有限公司

发明人： A.布宁 ,  C.科祖拉 ,  T.曼特 ,  M.库斯特曼

IPC分类号： H01F29/14 ,  H02J3/18 ,  H02P13/12

摘要： 本发明涉及一种用于在具有至少一个相导体(16，18，19)的高压电网(17)中进行无功功率补偿的装置(1)。根据本发明的装置(1)针对每个相导体具有高压接头(8)。针对每个高压接头(8)设置有：第一和第二铁芯部段(3，4)，它们是闭合磁路的一部分；第一高压绕组(5)，其包围第一铁芯部段；第二高压绕组，其包围第二铁芯部段并且与第一高压绕组并联连接；至少一个饱和开关支路(10，11)，其被设计为用于使至少一个铁芯部段(3，4)饱和并且具有可控的功率半导体开关(20，21，22，23)；以及控制单元(26)，其用于控制功率半导体开关(20，21，22，23)。为了避免漏磁场损耗，至少一个高压绕组装备有中心接头并且在其绕组端部与饱和开关支路连接。而中心接头(50)与高压接头(8)连接。

公开(公告)号：CN113168959A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201880099740.1

申请日：2018-11-26

申请人： 西门子能源全球有限公司

发明人： A.布宁 ,  C.科祖拉 ,  T.曼特 ,  M.库斯特曼

IPC分类号： H01F29/14 ,  H02J3/18 ,  H02P13/12

摘要： 本发明涉及一种用于在具有至少一个相导体(16，18，19)的高压电网(17)中进行无功功率补偿的装置(1)。根据本发明的装置(1)针对每个相导体具有高压接头(8)。针对每个高压接头(8)设置有：第一和第二铁芯部段(3，4)，它们是闭合磁路的一部分；第一高压绕组(5)，其包围第一铁芯部段；第二高压绕组，其包围第二铁芯部段并且与第一高压绕组并联连接；至少一个饱和开关支路(10，11)，其被设计为用于使至少一个铁芯部段(3，4)饱和并且具有可控的功率半导体开关(20，21，22，23)；以及控制单元(26)，其用于控制功率半导体开关(20，21，22，23)。为了避免漏磁场损耗，至少一个高压绕组装备有中心接头并且在其绕组端部与饱和开关支路连接。而中心接头(50)与高压接头(8)连接。