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公开(公告)号：CN107879371B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201711146241.7
申请日：2017-11-17
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C01G3/02
摘要： 本发明涉及一种在铜基材料表面原位生长针状氢氧化铜的方法，所述针状氢氧化铜长度为3～20μm，根部直径0.1～1μm，尖头直径0.01～0.8μm。其是采用浓度递减溶液氧化法制备得到，所述的浓度递减溶液氧化法是将铜基材料置于氢氧化钠和过硫酸铵的混合溶液中反应，然后根据需要重复置于或不置于浓度逐渐递减的氢氧化钠和过硫酸铵的混合溶液中反应，最后置于浓度进一步减小的氢氧化钠和过硫酸铵的混合溶液中或水中反应制备。以上方法至少需要进行两步反应。该方法操作简单、重复性好、成本低且适合大面积制备。
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公开(公告)号：CN105126916B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510530037.X
申请日：2015-08-26
申请人： 许昌学院
摘要： 本发明涉及一种磁性可回收的四硝基铜酞菁复合催化剂及在酚类污染物显色识别反应中的应用，它包括包覆有无定形碳薄膜层的四氧化三铁磁性载体，和负载在载体表面、具有“岛屿状”纳米结构的四硝基铜(II)酞菁。本发明的催化剂成本低廉且无毒无害，不仅具有稳定的物理性质，而且集化学催化和磁性回收两功能于一身，可反复多次使用。其作为催化剂催化水溶液中的多种酚(苯酚、2‑氯苯酚、4‑氯苯酚和2,4‑氯苯酚)与4‑氨基安替比林的显色反应，显色快速、成本低廉、易于操作，且催化反应无需借助光照和加热，仅通过催化剂、氧化剂和底物间的接触即可在室温下快速发生反应，催化反应过程绿色安全、易于控制。
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公开(公告)号：CN101805136B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010125445.4
申请日：2010-03-11
IPC分类号： C03C17/36
摘要： 一种在ITO导电玻璃上原位制备纳米网状硫铟锌三元化合物光电薄膜的化学方法。该方法把具有纳米化铟锌合金表面的ITO导电玻璃基底材料、单质硫粉、以及无水乙醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，单质硫粉的浓度为0.001～0.0015克硫/毫升无水乙醇溶剂，在160℃～180℃温度下反应12～24小时，反应结束后，自然冷却至室温，最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，室温下自然晾干，即得到在ITO导电玻璃基底的铟锌合金表面原位制得由纳米薄片组成的网状ZnIn2S4三元化合物光电薄膜材料，其中纳米薄片厚度为20～30nm。本方法制得的薄膜透明，纳米网状结构形貌均一、完美，表面非常均匀平整。同时，本方法低温原位生长重复性好，操作简便，不需要进一步的后处理，环境友好，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101792173A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010111403.5
申请日：2010-02-08
摘要： 本发明提供了一种低温下控制合成片状CuxSy纳米晶光电薄膜的化学方法。其方法是首先将硫粉加入到容器中，然后加入有机溶剂N，N-二甲基甲酰胺或无水乙醇，有机溶剂的体积大于容器容积的一半，在0～60℃温度恒温放置1小时，使溶解的硫粉在有机溶剂中达到饱和，再将具有新而洁净金属铜表面的基底材料水平置于容器底部并避免与硫粉直接接触，在0～60℃下反应5～24小时，产物用无水乙醇洗涤，于室温干燥后，即在基底材料金属铜的表面原位制得片状结构CuxSyx∶y＝1～2纳米晶组成的大面积薄膜材料。本发明的方法低温低能耗、简单、绿色环保、适于大面积工业生产、不需要任何模板，不需要添加任何表面活性剂，不必经过除杂等繁琐的后处理操作。
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公开(公告)号：CN115636440B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211537730.6
申请日：2022-12-02
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C01G29/00 , B82Y40/00 , B01J27/125
摘要： 本发明公开了一种In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片可见光光催化剂及其制备方法。它以硝酸铋、硝酸铟和氯化钾为前躯体（铟元素与铋元素的物质的量比为1：100～5：100，以体积比为1：8～1：3的乙二醇和水的混合溶液为溶剂，在160oC～180oC反应10～30小时得到In3+掺杂(001)晶面暴露BiOCl纳米片，所得样品经紫外光照1～4小时得到In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片，其尺寸小于200 nm，厚度为15～25 nm。使用本发明方法制备的(001)晶面暴露BiOCl纳米片中In+与氧空位共存，铟元素取代了铋元素的位置，在可见光下能高效降解杀虫剂五氯酚钠。本发明工艺简单，成本低，环境友好，产率高，适合大规模生产，符合实际生产需要，有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117383615A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311278056.9
申请日：2023-09-28
申请人： 许昌学院
摘要： 本发明公开了一种羟基锡酸盐及其制备方法与应用，本发明中的羟基锡酸盐具有空心立方结构，所述羟基锡酸盐包括掺杂或未掺杂的羟基锡酸锰或羟基锡酸铜中的至少一种。本发明的羟基锡酸盐具有优异的类酶催化性能。且本发明中采用酸刻蚀的方法，制得具有空心立方结构的羟基锡酸盐，是一种简单易行、可重复性强、成本低廉的羟基锡酸盐的制备方法，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN103992327B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410137432.7
申请日：2014-04-08
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C07D487/22
摘要： 本发明涉及一种溶剂热反应一步制备锰酞菁晶体的方法。它包括以下步骤：将摩尔比为4:1的邻苯二甲腈和四水合乙酸锰加入到反应釜中，然后加入无水乙醇溶剂，搅拌均匀，将反应釜密封后于180-200℃进行不低于1小时的溶剂热反应，反应结束后停止加热，自然冷却至室温；将上述制备得到的样品取出，使用热水及热乙醇反复冲洗锰酞菁晶体表面吸附的剩余反应物，然后再干燥即可得到锰酞菁晶体。该方法制备得到的锰酞菁晶体具有规则的晶体外观，整个制备过程操作简单、成本低廉、不产生有害污染物，反应过程易于控制，符合实际生产需要。
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公开(公告)号：CN102102224B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110002485.4
申请日：2011-01-07
摘要： 一种银铜硒三元化合物树枝晶薄膜材料及其制备方法。该材料为生长在银箔片基底上的AgCuSe树枝晶薄膜材料。其制法是把生长在银箔片基底上的树枝状Ag2Se纳米晶薄膜依次在硒粉与水悬浮液和纳米铜粉与氨水悬浮液中浸泡，经过室温化学反应，银箔片基底表面的树枝状Ag2Se纳米晶薄膜直接转化成高纯度的AgCuSe三元化合物树枝晶薄膜。本发明通过纳米材料形貌复制，原位反应制备AgCuSe树枝晶薄膜材料，避免了其它湿法化学反应制备所造成的产品不纯的现象。该法获得的AgCuSe三元化合物为化学计量整比，晶体具有三维树枝状结构。本法通过室温反应即获得目标产物，克服了高温法、电化学法等高耗能、工艺复杂的缺点，且不需要用到任何表面活性剂及其它添加剂，便于工业化生产和推广。
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公开(公告)号：CN102509769A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110337703.X
申请日：2011-10-28
申请人： 许昌学院
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 一种基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件。它是在具有金属银表面的ITO玻璃或柔性ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，在纯氩气环境中与P3HT复合，然后在其表面蒸镀一层Au作为正极的光电转换器件。做法是在清洁的ITO表面溅射一层200～300nm厚度的银薄膜，令其在0℃～60℃条件下和单质硫在DMF中反应，得到一层Ag2S纳米晶薄膜，经无水乙醇洗涤，40℃真空干燥，在通有纯氩气的手套箱中，将浓度为10mg/mL的P3HT氯仿溶液旋涂到Ag2S纳米晶薄膜上形成异质结，在氮气保护下40～60℃干燥2小时以上，最后在薄膜表面蒸镀单质金作为电池正极而成。该薄膜光电转换器件的Voc＝0.24V，Jsc＝11.19mA/cm2，η＝1.23％，FF＝44.84％，电池性能稳定，放置190天未检测到电池效率的衰减。
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公开(公告)号：CN100545081C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710052721.7
申请日：2007-07-12
申请人： 许昌学院
摘要： 一种树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法。该材料的制法是把具有金属银表面的基底材料，单质硒粉，以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，在120℃-180℃下反应，在基底材料的金属银表面原位制得由树枝状结构的硒化银纳米晶组成的薄膜材料，反应结束后，自然冷却至室温，产物用无水乙醇清洗，50℃以下干燥。所述的基底材料是指金属银箔片，表面镀了一层纳米金属银的半导体硅片、导电玻璃ITO等；本发明通过一步化学反应直接在具有金属银表面的基底上原位生长硒化银纳米晶薄膜，使用最简单的有机醇作为反应介质，环境友好；没有用到任何添加剂及表面活性剂，不需要后续的提纯步骤且晶型完美；反应快捷，操作方便，具有广泛的工业应用前景。
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