一种高频防反硅堆及高频升压变压器

    公开(公告)号:CN112350589A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011210376.7

    申请日:2020-11-03

    IPC分类号: H02M7/00 H02M7/08 H01F27/40

    摘要: 本发明公开了一种高频防反硅堆及高频升压变压器。高频防反硅堆包括绝缘罩,所述绝缘罩内通过组合支撑件堆叠安装高频二极管;所述组合支撑件由若干层支撑件自上至下连接而成;每层所述支撑件的中心处开设内固定孔,固定每个所述高频二极管的内侧;每层所述支撑件沿相同半径开设若干外固定孔,固定每个所述高频二极管的外侧;相邻两层所述支撑件之间开设预留孔,固定上一层的最后一个所述高频二极管和下一层的第一个所述高频二极管。高频升压变压器包括高压输出航插、变压器初级线圈、变压器次级线圈、泄放回路、高频整流板、泄放电阻和高频防反硅堆。本发明结构紧凑,体积小,能够及时泄放残余电压,减少残余电压对人体的损害。

    一种高频升压变压器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112350589B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202011210376.7

    申请日:2020-11-03

    IPC分类号: H02M7/00 H02M7/08 H01F27/40

    摘要: 本发明公开了一种高频升压变压器,包括高压输出航插、变压器初级线圈、变压器次级线圈、泄放回路、高频整流板、泄放电阻和高频防反硅堆,所述高频防反硅堆包括绝缘罩,所述绝缘罩内通过组合支撑件堆叠安装高频二极管;所述组合支撑件由若干层支撑件自上至下连接而成;每层所述支撑件的中心处开设内固定孔,固定每个所述高频二极管的内侧;每层所述支撑件沿相同半径开设若干外固定孔,固定每个所述高频二极管的外侧;相邻两层所述支撑件之间开设预留孔,固定上一层的最后一个所述高频二极管和下一层的第一个所述高频二极管。本发明结构紧凑,体积小,能够及时泄放残余电压,减少残余电压对人体的损害。

    一种高频升压变压器整流装置

    公开(公告)号:CN111800023A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010666354.5

    申请日:2020-07-10

    IPC分类号: H02M7/00 H01F27/32 H01F27/26

    摘要: 本发明公开了一种高频升压变压器整流装置,包括:支撑板组件,位于高频升压变压器磁芯长度方向的两端;环形绝缘柱组件,包括分别套设于磁芯长度方向的磁芯臂上的第一环形绝缘柱和第二环形绝缘柱,二者均设有若干个隔离环;高压线包组件中的高压线包位于相邻两个隔离环之间,还位于隔离环与支撑板组件之间;高频整流板组件的高频整流板设置于环形绝缘柱上相邻两个高压线包之间且电连接,第一环形绝缘柱和第二环形绝缘柱对应的高频整流板电连接。通过采用结构紧凑的高频整流电路,减少了高频高压整流硅堆及整流电路的体积,并进一步依据具体应用环境对高频整流板卡和高频升压变压器结构进行优化,提高了高频升压变压器及其整流电路的空间利用率。

    一种高频升压变压器整流装置

    公开(公告)号:CN111800023B

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202010666354.5

    申请日:2020-07-10

    IPC分类号: H02M7/00 H01F27/32 H01F27/26

    摘要: 本发明公开了一种高频升压变压器整流装置,包括:支撑板组件,位于高频升压变压器磁芯长度方向的两端;环形绝缘柱组件,包括分别套设于磁芯长度方向的磁芯臂上的第一环形绝缘柱和第二环形绝缘柱,二者均设有若干个隔离环;高压线包组件中的高压线包位于相邻两个隔离环之间,还位于隔离环与支撑板组件之间;高频整流板组件的高频整流板设置于环形绝缘柱上相邻两个高压线包之间且电连接,第一环形绝缘柱和第二环形绝缘柱对应的高频整流板电连接。通过采用结构紧凑的高频整流电路,减少了高频高压整流硅堆及整流电路的体积,并进一步依据具体应用环境对高频整流板卡和高频升压变压器结构进行优化,提高了高频升压变压器及其整流电路的空间利用率。