公开(公告)号：CN100578835C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710102141.4

申请日：2007-04-29

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 丁晴 ,  孟心飞 ,  陈意君 ,  韩政良 ,  柯宝灿 ,  卫靖燕

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/4246 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/91 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/4253 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种具有高光电流的太阳能电池，其结构主要包括：第一电极；第二电极；介于第一电极与第二电极之间的光活性层，以及介于该光活性层与至少一个电极之间的极性有机层。

公开(公告)号：CN101492529A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910001233.2

申请日：2009-01-14

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 詹淑华 ,  赵登志 ,  柯宝灿 ,  陈志平 ,  林晋声 ,  陈谊苓 ,  余昭颖

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供一具备共平面基团的可溶性聚噻吩衍生物，此噻吩－对苯撑基－噻吩为主的共平面基团可增加分子内共轭程度以及帮助分子间的π－π作用力，进而提升材料的载子迁移率。本发明还涉及此可溶性聚噻吩衍生物于有机薄膜晶体管、有机发光二极管及有机太阳能电池等光电组件上的应用。

公开(公告)号：CN101492529B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN200910001233.2

申请日：2009-01-14

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 詹淑华 ,  赵登志 ,  柯宝灿 ,  陈志平 ,  林晋声 ,  陈谊苓 ,  余昭颖

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供一具备共平面基团的可溶性聚噻吩衍生物，此噻吩‑对苯撑基‑噻吩为主的共平面基团可增加分子内共轭程度以及帮助分子间的π‑π作用力，进而提升材料的载子迁移率。本发明还涉及此可溶性聚噻吩衍生物于有机薄膜晶体管、有机发光二极管及有机太阳能电池等光电组件上的应用。

公开(公告)号：CN101207183A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710102141.4

申请日：2007-04-29

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 丁晴 ,  孟心飞 ,  陈意君 ,  韩政良 ,  柯宝灿 ,  卫靖燕

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/4246 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/91 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/4253 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种具有高光电流的太阳能电池，其结构主要包括：第一电极；第二电极；介于第一电极与第二电极之间的光活性层，以及介于该光活性层与至少一个电极之间的极性有机层。