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发明公开
一种二硅化钼系材料氧扩散系数验证膜片的制备方法及计算薄膜中氧扩散系数的方法无效

公开(公告)号：CN110282629A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910580979.7

申请日：2019-06-29

Applicant: 贵州省分析测试研究院

Inventor： 谭红 , 杨冰 , 何锦林 , 陈佳新 , 王雅洁 , 汪昐利 , 张成梅 , 郝淼

IPC: C01B33/06 , H05B3/10 , H05B3/14

Abstract: 本发明提供一种二硅化钼系材料氧扩散系数验证膜片的制备方法，包括：SiO2基体溶液的制备、抗氧化腐蚀掺杂溶液的制备、将不同比例的工作母液B配制到工作母液A混合、硅片清洗、硅片上掺杂薄膜的制备、将生成的非晶薄膜放入高温管式炉中烘烤。本申请的验证膜片制备方法能够提高MoSi2加热元件的使用寿命与使用温度，精确验证氧扩散系数，因而具有较大工业价值和应用前景；同时，申请的计算薄膜中氧扩散系数的方法，具有简便、准确的优势，对于研究高温腐蚀机理具有重要意义。

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