公开(公告)号：CN102047750B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980120110.9

申请日：2009-04-13

申请人： 赫姆洛克半导体公司

发明人： D·希拉布兰德 ,  T·纳普

IPC分类号： H05B3/03 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： C23C16/4418 ,  C01B33/035 ,  H05B3/03

摘要： 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面，该外表面具有适于接触插座的接触区域。接触区域涂层设置在电极的外表面的接触区域上。接触区域涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。

公开(公告)号：CN102047066B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980120116.6

申请日：2009-04-13

申请人： 赫姆洛克半导体公司

发明人： M·德蒂亚 ,  D·希拉布兰德 ,  T·纳普 ,  K·麦科伊 ,  M·莫尔纳

IPC分类号： C23C16/00 ,  F28F13/18 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： B23K10/02 ,  C23C16/4418 ,  H05B3/03

摘要： 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种设备包括限定了腔室的壳体。至少一个电极穿过壳体设置，用于接收插座。电极包括限定了通道的内表面。电极通过使电流直接通到载体而将载体加热至所需沉积温度。冷却剂与电极的通道处于流体连通，用于降低电极的温度。通道涂层设置在电极的内表面中，用于防止冷却剂与内表面之间的热传递发生损失。

公开(公告)号：CN102047751B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200980120357.0

申请日：2009-04-13

申请人： 赫姆洛克半导体公司

发明人： D·希拉布兰德 ,  T·纳普

IPC分类号： H05B3/03 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： C23C16/4418 ,  C01B33/035 ,  C25D17/12 ,  H01R13/005 ,  H05B3/03

摘要： 本发明提供了一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面，该外表面具有适于接触插座的接触区域。外部涂层设置在电极的外表面上，位于接触区域外侧。外部涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。

公开(公告)号：CN102047751A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120357.0

申请日：2009-04-13

申请人： 赫姆洛克半导体公司

发明人： D·希拉布兰德 ,  T·纳普

IPC分类号： H05B3/03 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： C23C16/4418 ,  C01B33/035 ,  C25D17/12 ,  H01R13/005 ,  H05B3/03

摘要： 本发明提供了一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面，该外表面具有适于接触插座的接触区域。外部涂层设置在电极的外表面上，位于接触区域外侧。外部涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。

公开(公告)号：CN102047750A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120110.9

申请日：2009-04-13

申请人： 赫姆洛克半导体公司

发明人： D·希拉布兰德 ,  T·纳普

IPC分类号： H05B3/03 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： C23C16/4418 ,  C01B33/035 ,  H05B3/03

摘要： 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面，该外表面具有适于接触插座的接触区域。接触区域涂层设置在电极的外表面的接触区域上。接触区域涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。

公开(公告)号：CN102047066A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120116.6

申请日：2009-04-13

申请人： 赫姆洛克半导体公司

发明人： M·德蒂亚 ,  D·希拉布兰德 ,  T·纳普 ,  K·麦科伊 ,  M·莫尔纳

IPC分类号： F28F13/18 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： B23K10/02 ,  C23C16/4418 ,  H05B3/03

摘要： 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种设备包括限定了腔室的壳体。至少一个电极穿过壳体设置，用于接收插座。电极包括限定了通道的内表面。电极通过使电流直接通到载体而将载体加热至所需沉积温度。冷却剂与电极的通道处于流体连通，用于降低电极的温度。通道涂层设置在电极的内表面中，用于防止冷却剂与内表面之间的热传递发生损失。