公开(公告)号：CN1132223A

公开(公告)日：1996-10-02

申请号：CN95118751.1

申请日：1995-11-03

Applicant: 赫彻斯特股份公司

Inventor： A·舒恩菲尔德 ,  A·施莱彻尔 ,  G·富兰克 ,  H·舍克恩巴奇

IPC: C08L27/12 ,  C08J9/02

CPC classification number: C08J9/0061 ,  C08J9/02 ,  C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2327/02 ,  C08J2327/12 ,  C08J2481/00 ,  C08L27/12 ,  C08L81/00 ,  C08L81/04 ,  C08L2666/14

Abstract: 本发明涉及一种以氟聚合物为基础的模料，此外它含有1-50重量％的至少一种的含亚砜基的聚合物。含亚砜基的聚合物特别含有下式的聚芳亚砜单元：-(-C6H4-SO-)-。

公开(公告)号：CN1133319A

公开(公告)日：1996-10-16

申请号：CN95120879.9

申请日：1995-12-20

Applicant: 赫彻斯特股份公司

Inventor： H·彻肯巴奇 ,  A·施莱彻尔

IPC: C08L81/00 ,  C08J3/24

CPC classification number: C08L81/00 ,  C08L81/02

Abstract: 得到由聚芳硫和聚芳亚砜或部分氧化的含有亚砜基的聚芳硫形成的混合物，按照亚砜基含量进行热交联。制备交联的聚芳硫模体的方法是基于在热成型加工中使用这种混合物。

公开(公告)号：CN1122580A

公开(公告)日：1996-05-15

申请号：CN94191998.6

申请日：1994-04-13

Applicant: 赫彻斯特股份公司

Inventor： H·斯特鲁兹 ,  D·夫雷施尔 ,  J·库尔普 ,  A·施莱彻尔

IPC: B01D15/00 ,  B01D53/34 ,  B01J20/26

CPC classification number: B01J20/26 ,  B01D19/0031 ,  B01D53/66 ,  C08G75/0204 ,  Y02A50/2347

Abstract: 提出一种以具有式(I)重复单元的聚芳硫醚为基础的过滤介质适宜用于从气体或液体中除臭氧。除臭氧是定量进行的，在此没有易挥发的产物形成。其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、W、X、Y和Z相互独立，相同或不同。角标n、m、i、j、k、l、o和p为相互独立且为零或整数1、2、3或4，其中它们的和必须至少为2，式(I)中的Ar1、Ar2、Ar3和Ar4代表带6-18个C原子的亚芳基体系，W、X、Y和Z代表二价的连接基-SO2-、-S-、-SO-、-CO-、-O-、-CO2-、带1-6个C原子、优选带1-4个C原子的烷叉或烷撑。

公开(公告)号：CN1050195C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN95196666.9

申请日：1995-11-03

Applicant: 赫彻斯特股份公司

Inventor： A·施昂费尔德 ,  G·费克特 ,  A·施莱彻尔 ,  G·福兰克 ,  H·J·里格

IPC: G01N27/00

CPC classification number: G01N29/022 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/02818 ,  G01N2291/0423 ,  G01N2291/0426 ,  Y10T436/177692 ,  Y10T436/206664

Abstract: 用于检测氧化剂的传感器，它含有可氧化芳族聚合物。该传感器由涂敷了含可氧化芳族聚合物的多孔或非多孔层的压电晶体构成。

公开(公告)号：CN1168721A

公开(公告)日：1997-12-24

申请号：CN95196666.9

申请日：1995-11-03

Applicant: 赫彻斯特股份公司

Inventor： A·施昂费尔德 ,  G·费克特 ,  A·施莱彻尔 ,  G·福兰克 ,  H·J·里格

IPC: G01N27/00 ,  G01N29/02

CPC classification number: G01N29/022 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/02818 ,  G01N2291/0423 ,  G01N2291/0426 ,  Y10T436/177692 ,  Y10T436/206664

Abstract: 用于检测氧化剂的传感器，它含有可氧化芳族聚合物。该传感器由涂敷了含可氧化芳族聚合物的多孔或非多孔层的压电晶体构成。

公开(公告)号：CN1133857A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120836.5

申请日：1995-12-12

Applicant: 赫彻斯特股份公司

Inventor： H·彻肯巴奇 ,  A·施莱彻尔 ,  J·V·艾斯蒙特 ,  G·福兰克

IPC: C08J7/12 ,  C08L81/02

CPC classification number: C08J7/12 ,  C08J2381/02 ,  C08J2381/06

Abstract: 在聚芳硫醚的表面氧化方法中把所要氧化材料的表面同一种含臭氧的气体或一种液体进行接触。根据此方法制备的材料能用于飞机制造，汽车制造以及化学仪器制造上。