电容性输入装置及用于形成电容性输入装置的方法

    公开(公告)号:CN104620208B

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201380030333.2

    申请日:2013-04-09

    发明人: T-W.姚 Y-C.谭

    IPC分类号: G06F3/044

    摘要: 本文描述的实施例提供改进的传感器装置和促进改进的传感器装置的方法。具体地,装置和方法提供电容性图像传感器,其仅需要形成于单个衬底上的两层导电元件。仅使用具有两层导电元件的单个衬底来提供图像传感器的能力可大体上减少电容性图像传感器的成本和复杂性。在一个实施例中,提供包括具有第一和第二面的第一衬底的输入装置。第二批传感器电极的第二阵列的每个包括布置于第一面上的多个绝缘组件以及布置于第二面上的多个连接器。第二批传感器电极的连接器和绝缘组件进行布置使得沿第一方向的连接器的相邻对由大体上大于第一间距的距离分离。

    两层电容性传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104620208A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201380030333.2

    申请日:2013-04-09

    发明人: T-W.姚 Y-C.谭

    IPC分类号: G06F3/044

    摘要: 本文描述的实施例提供改进的传感器装置和促进改进的传感器装置的方法。具体地,装置和方法提供电容性图像传感器,其仅需要形成于单个衬底上的两层导电元件。仅使用具有两层导电元件的单个衬底来提供图像传感器的能力可大体上减少电容性图像传感器的成本和复杂性。在一个实施例中,提供包括具有第一和第二面的第一衬底的输入装置。第二批传感器电极的第二阵列的每个包括布置于第一面上的多个绝缘组件以及布置于第二面上的多个连接器。第二批传感器电极的连接器和绝缘组件进行布置使得沿第一方向的连接器的相邻对由大体上大于第一间距的距离分离。