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发明公开
一种碳化硅晶片腐蚀装置及工艺审中-实审

公开(公告)号：CN118480869A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410747296.7

申请日：2024-07-10

申请人： 连科半导体有限公司

发明人： 杨东风 , 李扬 , 李龙

IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/36

摘要： 本发明是一种碳化硅晶片腐蚀装置及工艺，装置结构包括真空腔，真空腔侧面为烘箱，真空腔分别连接氧气输入管和外接空气的排气管，真空腔内设镍坩埚，镍坩埚内装有KOH溶液，装有晶片的托盘浸没在镍坩埚的KOH溶液。本发明的优点：1)可通入氧气，使因长时间存放而潮解的KOH仍保持与未潮解KOH一致的腐蚀效率，降低了腐蚀成本，降低了强碱的使用量；2)可通过循环回收装置循环使用氧气，进一步降低腐蚀成本，且绿色节能；3）使用时只需调整加热温度与加热时间，操作简单，腐蚀过后的晶片可直接由位错仪表征数据，效果直观。