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公开(公告)号:CN103123868B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201210597224.6
申请日:2009-09-24
申请人: 迪睿合电子材料有限公司
CPC分类号: H03H7/0115 , H01G4/232 , H01G4/255 , H01G4/30 , H01G7/06 , H03H2001/0085
摘要: 本发明抑制了由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而导致的电容变化,从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。本发明的电容装置所具有的结构包括介电体层(10)、第一电极(11)以及第二电极(12),所述第一电极(11)形成于所述介电体层(10)的预定表面(10a)上,所述第二电极(12)形成于所述介电体层(10)的与所述预定表面(10a)相对的那一侧的表面(10b)上。所述第一电极(11)及所述第二电极(12)的形状被设定成:即使在所述第一电极(11)相对于所述第二电极(12)沿着预定方向在位置上发生相对位移的情况下,所述第一电极(11)与所述第二电极(12)二者的对置电极区域的面积也不会改变。
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公开(公告)号:CN101662171B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN200910168122.0
申请日:2009-08-28
申请人: 迪睿合电子材料有限公司
CPC分类号: H04B5/0012 , H02J5/005 , H02J50/12
摘要: 本发明提供了一种设有接收部和整流部的非接触接收器以及用于所述非接触接收器的谐振电路以及可变电容元件。接收部具有谐振电路,谐振电路包括具有由铁电材料形成的可变电容元件的谐振电容器和连接于谐振电容器的谐振线圈,可变电容元件的电容随着预定频率的接收电压而变化。整流部将从接收部输出的交流电压转换成直流电压。本发明提供了更简单的结构和对接收电压更高的耐压性。
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公开(公告)号:CN103123868A
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201210597224.6
申请日:2009-09-24
申请人: 迪睿合电子材料有限公司
CPC分类号: H03H7/0115 , H01G4/232 , H01G4/255 , H01G4/30 , H01G7/06 , H03H2001/0085
摘要: 本发明抑制了由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而导致的电容变化,从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。本发明的电容装置所具有的结构包括介电体层(10)、第一电极(11)以及第二电极(12),所述第一电极(11)形成于所述介电体层(10)的预定表面(10a)上,所述第二电极(12)形成于所述介电体层(10)的与所述预定表面(10a)相对的那一侧的表面(10b)上。所述第一电极(11)及所述第二电极(12)的形状被设定成:即使在所述第一电极(11)相对于所述第二电极(12)沿着预定方向在位置上发生相对位移的情况下,所述第一电极(11)与所述第二电极(12)二者的对置电极区域的面积也不会改变。
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公开(公告)号:CN104485758B
公开(公告)日:2019-03-12
申请号:CN201410823441.1
申请日:2009-08-28
申请人: 迪睿合电子材料有限公司
摘要: 本发明提供了一种设有接收部和整流部的非接触接收器以及用于所述非接触接收器的谐振电路以及可变电容元件。接收部具有谐振电路,谐振电路包括具有由铁电材料形成的可变电容元件的谐振电容器和连接于谐振电容器的谐振线圈,可变电容元件的电容随着预定频率的接收电压而变化。整流部将从接收部输出的交流电压转换成直流电压。本发明提供了更简单的结构和对接收电压更高的耐压性。
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公开(公告)号:CN104485758A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410823441.1
申请日:2009-08-28
申请人: 迪睿合电子材料有限公司
CPC分类号: H04B5/0012 , H02J5/005 , H02J50/12
摘要: 本发明提供了一种设有接收部和整流部的非接触接收器以及用于所述非接触接收器的谐振电路以及可变电容元件。接收部具有谐振电路,谐振电路包括具有由铁电材料形成的可变电容元件的谐振电容器和连接于谐振电容器的谐振线圈,可变电容元件的电容随着预定频率的接收电压而变化。整流部将从接收部输出的交流电压转换成直流电压。本发明提供了更简单的结构和对接收电压更高的耐压性。
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公开(公告)号:CN102165541B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN200980137694.0
申请日:2009-09-24
申请人: 迪睿合电子材料有限公司
CPC分类号: H03H7/0115 , H01G4/232 , H01G4/255 , H01G4/30 , H01G7/06 , H03H2001/0085
摘要: 本发明抑制了由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而导致的电容变化,从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。本发明的电容装置所具有的结构包括介电体层(10)、第一电极(11)以及第二电极(12),所述第一电极(11)形成于所述介电体层(10)的预定表面(10a)上,所述第二电极(12)形成于所述介电体层(10)的与所述预定表面(10a)相对的那一侧的表面(10b)上。所述第一电极(11)及所述第二电极(12)的形状被设定成:即使在所述第一电极(11)相对于所述第二电极(12)沿着预定方向在位置上发生相对位移的情况下,所述第一电极(11)与所述第二电极(12)二者的对置电极区域的面积也不会改变。
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