公开(公告)号：CN101435856A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810178265.5

申请日：2008-11-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： X·楚 ,  Y·刘 ,  Y·朱

IPC: G01R33/36

CPC classification number: G01R33/3415 ,  G01R33/3614

Abstract: 本发明涉及用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器。描述了一种用于驱动多发射线圈(403，404)磁共振成像(MRI)系统的超低输出阻抗RF功率放大器(401，402)，该功率放大器包括具有高功率MOSFET(311)的输出匹配网络(308)，在操作上耦合到MRI系统中的至少一个发射线圈，以得到所期望的输出功率和阻抗。本发明还描述了一种采用RF功率放大器来实现去耦以驱动至少一个发射线圈的方法。

公开(公告)号：CN101435856B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200810178265.5

申请日：2008-11-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： X·楚 ,  Y·刘 ,  Y·朱

IPC: G01R33/36

CPC classification number: G01R33/3415 ,  G01R33/3614

Abstract: 本发明涉及用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器。描述了一种用于驱动多发射线圈(403，404)磁共振成像(MRI)系统的超低输出阻抗RF功率放大器(401，402)，该功率放大器包括具有高功率MOSFET(311)的输出匹配网络(308)，在操作上耦合到MRI系统中的至少一个发射线圈，以得到所期望的输出功率和阻抗。本发明还描述了一种采用RF功率放大器来实现去耦以驱动至少一个发射线圈的方法。