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公开(公告)号：CN102051599B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010538504.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/228 , C23C14/26
Abstract: 本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
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公开(公告)号：CN102051599A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010538504.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/228 , C23C14/26
Abstract: 本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102446998A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110309927.X
申请日：2011-09-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·查卡拉科斯 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科雷瓦尔 , O·I·斯特恩冈萨雷斯 , Y·A·奚
IPC: H01L31/055 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/055 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , Y02E10/52 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种光伏器件，其包括设置在该器件上的复合降频转换层。该复合降频转换层包括散布在基体中的降频转换材料微粒。这些降频转换材料微粒的大小是该降频转换材料和该基体的相应折射率的差别Δn的函数，使得：(i)对于小于大约0.05的Δn，降频转换材料微粒的大小在从大约0.5微米至大约10微米的范围中，并且(ii)对于至少大约0.05的Δn，降频转换材料微粒的大小在从大约1纳米至大约500纳米的范围中。还提供具有多个这样的光伏器件的光伏模块。
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公开(公告)号：CN102074594A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010545218.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0296 , H01L31/1836 , Y02E10/50
Abstract: 提供光伏器件。该光伏器件包括吸收层，其包括p型半导体，其中至少一层设置在该吸收层之上。该至少一层是具有比该吸收层的载流子密度高的载流子密度的半导体。该至少一层包括硅。该至少一层包括p+型半导体。该吸收层基本上没有硅。提供形成该光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102446988A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110309663.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·查卡拉科斯 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科雷瓦尔 , O·I·斯特恩冈萨雷斯 , Y·A·奚
IPC: H01L31/0232 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 在本发明的一个方面中，呈现具有降频转换层的光伏器件。该器件包括具有第一表面和第二表面的玻璃板。该第一表面暴露于周围辐射。透明导电层邻近该玻璃板的该第二表面设置。该器件进一步包括邻近该透明导电层设置的第一类型半导体层和邻近该第一类型半导体层设置的第二类型半导体层。该降频转换层插入该玻璃板的该第二表面和该透明导电层之间。该降频转换层展现具有处于该玻璃板和该透明导电层的相应折射率之间的值的有效折射率。还呈现具有多个这样的光伏器件的光伏模块。
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公开(公告)号：CN102446987A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110309312.7
申请日：2011-09-29
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·查卡拉科斯 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科雷瓦尔 , O·I·斯特恩冈萨雷斯 , Y·A·奚
IPC: H01L31/0232 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/055 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , Y02E10/52 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光伏器件，其具有设置在该器件上的降频转换层。该降频转换层具有渐变折射率，其中在该降频转换层的第一表面的折射率的值不同于在该层的第二表面的折射率的值。还呈现具有多个这样的光伏器件的光伏模块。
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公开(公告)号：CN101853893A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010159775.5
申请日：2010-03-31
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/036 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/02963 , H01L31/03529 , H01L31/0368 , Y02E10/543
Abstract: 提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。而且，晶粒为p型或n型。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。
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