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公开(公告)号：CN102534765B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110447195.0
申请日：2011-12-28
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明属于复合结构制备技术领域，具体公开了一种三维花状ZnO/ZnS复合结构的控制合成方法。首先将锌粉放入管式炉的中心加热区，将硫粉放在锌粉前方1~9cm处，衬底放在锌粉后方1~7cm处，再通入10~30sccm的氩气，保持至少15min，然后10~40min将管式炉从室温升高到900~1200℃，保温10~60min，最后随炉冷却即得到三维花状ZnO/ZnS复合结构。相对于现有的技术和制备方法，本发明方法具有以下优点：使用一步法，制备方法简单，有利于简化制备工艺；所制备的三维花状ZnO/Zn复合结构形貌新颖、结构均一、分布均匀，并且能够对形貌结构进行调控；所制备的三维花状ZnO/ZnS复合结构，具有强的绿光发射峰。
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公开(公告)号：CN101736377B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910227364.2
申请日：2009-12-08
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C25D7/12
摘要： 本发明公开了一种硫化镍纳米线阵列的制备方法。首先以多孔氧化铝为模板，在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列，之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中，电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5～0.6mol/L、硼酸浓度为0.45～0.52mol/L，以含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板为阴极，以石墨片为阳极，室温下加以直流-4.0～-2.0V的电压通过电化学置换反应获得含有硫化镍纳米线阵列的多孔氧化铝模板。本发明通过电化学置换反应能够合成更多种类的化合物半导体，拓展了电化学法在化合物半导体的应用，并且方法简单，成本低廉，有助于化合物半导体纳米结构的器件化和广泛应用。
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公开(公告)号：CN101736377A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910227364.2
申请日：2009-12-08
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C25D7/12
摘要： 本发明公开了一种硫化镍纳米线阵列的制备方法。首先以多孔氧化铝为模板，在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列，之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中，电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5～0.6mol/L、硼酸浓度为0.45～0.52mol/L，以含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板为阴极，以石墨片为阳极，室温下加以直流-4.0～-2.0V的电压通过电化学置换反应获得含有硫化镍纳米线阵列的多孔氧化铝模板。本发明通过电化学置换反应能够合成更多种类的化合物半导体，拓展了电化学法在化合物半导体的应用，并且方法简单，成本低廉，有助于化合物半导体纳米结构的器件化和广泛应用。
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公开(公告)号：CN102534765A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110447195.0
申请日：2011-12-28
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明属于复合结构制备技术领域，具体公开了一种三维花状ZnO/ZnS复合结构的控制合成方法。首先将锌粉放入管式炉的中心加热区，将硫粉放在锌粉前方1~9cm处，衬底放在锌粉后方1~7cm处，再通入10~30sccm的氩气，保持至少15min，然后10~40min将管式炉从室温升高到900~1200℃，保温10~60min，最后随炉冷却即得到三维花状ZnO/ZnS复合结构。相对于现有的技术和制备方法，本发明方法具有以下优点：使用一步法，制备方法简单，有利于简化制备工艺；所制备的三维花状ZnO/Zn复合结构形貌新颖、结构均一、分布均匀，并且能够对形貌结构进行调控；所制备的三维花状ZnO/ZnS复合结构，具有强的绿光发射峰。
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