一种AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料及其合成方法

    公开(公告)号:CN117887453A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410087266.8

    申请日:2024-01-22

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明涉及一种AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料的合成方法,合成方法包括以下步骤:1)将溴化铯等原料和A位掺杂物原料、B位掺杂物原料进行混合,混合后进行表面活化处理,再进行高能球磨,得到混合物;2)混合物加入到反应溶剂和配体的混合溶液中,在紫外光辅助下进行反应,实现配体钝化,得到反应物;3)反应物进行氧化硅包裹,得到超顺磁颗粒;4)超顺磁颗粒进行干燥、球磨和消除静电处理,得到AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料。本发明通采用固相法合成纯度较高的AB位共掺杂的锰离子金属卤化物,与普通锰离子金属卤化物纳米材料相比,发光强度提高。

    一种蛭石/石墨相氮化碳/溴氧化铋复合光催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116586098A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310602671.4

    申请日:2023-05-26

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明涉及一种蛭石/石墨相氮化碳/溴氧化铋复合材料的制备方法:1)利用微波加热的方法将过氧化氢预处理后的蛭石颗粒进行膨胀处理,得到膨胀蛭石颗粒;2)将膨胀蛭石颗粒与三聚氰胺加入到水中并搅拌加热蒸干其中液体后,将固体混合物煅烧,制得蛭石/g‑C3N4复合材料;3)将蛭石/g‑C3N4复合材料与溴化钠加入到水中搅拌后,再加入用冰乙酸溶解的五水合硝酸铋,搅拌反应后,室温下静置陈化,过滤、洗涤、干燥后,即得。本发明蛭石/g‑C3N4/BiOBr复合材料通过使用具有较大比表面积及层间限域空间的膨胀蛭石来作为载体负载g‑C3N4与BiOBr,使其具有良好的分散效果,同时构筑了g‑C3N4/BiOBr异质结,从而使复合材料表现出更高的光催化活性,实现了对水中的四环素污染物更经济、高效的降解。

    一种氮化铝粉体的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116396082A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310590076.3

    申请日:2023-05-24

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明提供了一种氮化铝粉体的制备方法,属于陶瓷粉体制备技术领域。本发明首先将铝源、碳源、金属氯化物和水混合,得到混合溶液;再将混合溶液加热后添加氨水,得到乳白色溶胶;最后将乳白色溶胶顺次进行冷冻干燥、煅烧处理、除碳处理,即可得到氮化铝粉体。本发明将溶胶凝胶法和碳热还原法结合在一起,采用无机盐辅助的方式,降低了反应温度,以较低的成本即可制得的氮化铝粉体,并且所制备的氮化铝粉体具有较高的纯度和较好的球形度与粒度,其粒径范围为100~500nm。

    Ti3C2Tx复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113115581B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202110395318.4

    申请日:2021-04-13

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: H05K9/00 H01Q17/00

    摘要: 本发明涉及一种Ti3C2Tx复合材料及其制备方法,属于电磁屏蔽材料制备技术领域。本发明的Ti3C2Tx复合材料的制备方法,包括以下步骤:在聚合物微球上包覆Ti3C2Tx单层纳米片层,然后进行碳化处理,即得。本发明的Ti3C2Tx复合材料的制备方法通过使用聚合物微球作为模板包覆Ti3C2Tx单层纳米片,碳化处理后获得,在保留了Ti3C2Tx材料高导电性的同时,由于聚合物微球模板热裂解使Ti3C2Tx单层纳米片层产生孔洞,进而使得制得材料具有多孔结构,材料密度更小,同时增强材料对电磁波的多次反射损耗,电磁波吸收屏蔽性能更好。

    一种高熵复合陶瓷及其制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114874006A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210543775.8

    申请日:2022-05-19

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明涉及一种高熵复合陶瓷及其制备方法,高熵复合陶瓷具有两相结构,其两相分别为(Ca,Sr,Ba)ZrO3相和hBN相。本发明首先将CaZrO3、SrZrO3和BaZrO3粉体进行湿磨混合,然后将混合均匀的浆料充分干燥,对干燥后的粉体进行无压烧结实现高熵陶瓷粉体的制备,再将高熵陶瓷粉体和hBN粉体按照一定比例混合,对混合粉体进行放电等离子烧结或热压烧结实现高熵复合陶瓷的制备。本发明首次成功合成出了(Ca,Sr,Ba)ZrO3‑hBN高熵复合陶瓷,通过多项技术表征,合成的(Ca,Sr,Ba)ZrO3‑hBN高熵复合陶瓷具有较高的致密度、优异的抗弯强度、较高的热导率、较低的热膨胀系数以及优异的抗热震性能。

    一种一硼化物高熵陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN110734289B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201910726169.8

    申请日:2019-08-07

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明提供了一种一硼化物高熵陶瓷,高熵陶瓷为单相四方结构,原子百分比表达式为(Cr0.2Ni0.2W0.2Mo0.2Ta0.2)B。本发明首先通过行星球磨将单质金属Cr,Ni,W,Mo,Ta和B粉体进行湿磨混合,然后将混合均匀的原料在旋转蒸发器中充分干燥,最后对混合均匀的原料进行热压烧结实现高熵陶瓷块体的制备,通过调整工艺参数,获得单相结构的高熵陶瓷。该方法首次成功合成出了一硼化物的高熵陶瓷,通过多项技术表征,合成的(Cr0.2Ni0.2W0.2Mo0.2Ta0.2)B高熵陶瓷具有较高的致密度和硬度,以及远低于混合原料的热导率。

    一种PcBN刀具及其制备方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109456062B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201811502615.9

    申请日:2018-12-10

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C04B35/5831 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种PcBN刀具及其制备方法,属于聚晶立方氮化硼超硬刀具的制造技术领域。本发明的PcBN刀具的制备方法,包括以下步骤:将立方氮化硼单晶、碳化硅、有机聚硅氮烷与热固化助剂在溶剂中混合均匀后进行热固化,然后热解,再进行粉碎、烧结,即得;所述碳化硅的粒径不大于0.5μm。本发明的PcBN刀具的制备方法,固化前每个cBN单晶表面都均匀附着前驱体PSN结合剂,烧结过程中PSN在cBN晶粒表面生成SiC、Si3N4纳米晶,直接作为结合剂参与烧结过程,保证了结合剂整体分布均匀;烧结过程生成的SiC纳米晶在原料碳化硅晶粒上长大成为棒状结构,能够提升PcBN刀具的整体力学性能,尤其是硬度和抗弯强度。