公开(公告)号：CN116364828A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310348007.1

申请日：2023-04-04

申请人： 郑州西亚斯学院

发明人： 涂于飞

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供了一种LED垂直硅衬底外延片，包括依次层叠于所述硅衬底粗糙上表面制备外延层，所述外延层包含依次制备的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层，在所述硅衬底光滑下表面设置压应力支撑层，所述应力支撑层表面积小于衬底的表面积，分布在硅衬底中间；所述应力支撑层包含依次在硅衬底下表面制备的应力提供层和应力加强层。所述应力提供层为NiZnSe层，所述应力加强层为AlInGaN，用于解决现有技术中硅衬底的外延层结构之间中存在着裂纹、晶格失配、内部残余应力的问题。