一种近室温弛豫铁电材料Ba4SrBiTi3Nb7O30及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114874009B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202210647586.5

    申请日:2022-06-09

    Abstract: 本发明属于弛豫性铁电材料技术领域,具体涉及一种近室温弛豫铁电材料Ba4SrBiTi3Nb7O30及其制备方法和应用。本发明克服了现有技术铅基铁电材料中存在的铅毒性问题,也克服了现有技术低温弛豫铁电材料较低的应用温度缺陷,提供了一种无铅的Ba4SrBiTi3Nb7O30铁电材料,且制得的Ba4SrBiTi3Nb7O30材料近室温表现出明显的弛豫性铁电特征,制得的Ba4SrBiTi3Nb7O30材料能够被应用于制备计算机存储元件、微位移器、传感器、储能器中。

    一种近室温弛豫铁电材料Ba4SrBiTi3Nb7O30及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114874009A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210647586.5

    申请日:2022-06-09

    Abstract: 本发明属于弛豫性铁电材料技术领域,具体涉及一种近室温弛豫铁电材料Ba4SrBiTi3Nb7O30及其制备方法和应用。本发明克服了现有技术铅基铁电材料中存在的铅毒性问题,也克服了现有技术低温弛豫铁电材料较低的应用温度缺陷,提供了一种无铅的Ba4SrBiTi3Nb7O30铁电材料,且制得的Ba4SrBiTi3Nb7O30材料近室温表现出明显的弛豫性铁电特征,制得的Ba4SrBiTi3Nb7O30材料能够被应用于制备计算机存储元件、微位移器、传感器、储能器中。

    一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113121221B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202110434283.0

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法,首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液,再合成钛酸铜钙溶胶;其次,清洗SrTiO3(001)基片,利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜;最后在不同的气氛和温度下热处理得到单一取向的CCTO薄膜。本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3(001)基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜,以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗,从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能。本发明显著降低对制膜设备的要求,重复性高,适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104,介电损耗低至0.01。

    一种具有弛豫铁电特性的无铅多铁材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113087514A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110410573.1

    申请日:2021-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种具有弛豫铁电特性的无铅多铁材料及其制备方法,化学式为Ca3CoMn1‑xCrxO6,其中0.05≤x≤0.15,结晶为斜方结构,空间群R‑3c。将称量好的CaCO3、C4H6CoO4·4H2O、C4H6MnO4·4H2O、CrN3O9溶解于柠檬酸溶液中,加入乙二醇,以增强溶液黏度,然后调节混合溶液pH=3‑5,放入水浴锅中加热使溶液变为果冻状的湿凝胶;将湿凝胶干燥得干凝胶;然后经研磨、预烧、二次研磨、压片,烧结得到无铅多铁材料。样品颗粒大小均匀,其不仅具有多铁性特征,同时其铁电相变具有明显的弛豫特性,通过磁场对其电偶极矩进行调控,推动其在多功能器件中的应用。

    一种具有弛豫铁电特性的无铅多铁材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113087514B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202110410573.1

    申请日:2021-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种具有弛豫铁电特性的无铅多铁材料及其制备方法,化学式为Ca3CoMn1‑xCrxO6,其中0.05≤x≤0.15,结晶为斜方结构,空间群R‑3c。将称量好的CaCO3、C4H6CoO4·4H2O、C4H6MnO4·4H2O、CrN3O9溶解于柠檬酸溶液中,加入乙二醇,以增强溶液黏度,然后调节混合溶液pH=3‑5,放入水浴锅中加热使溶液变为果冻状的湿凝胶;将湿凝胶干燥得干凝胶;然后经研磨、预烧、二次研磨、压片,烧结得到无铅多铁材料。样品颗粒大小均匀,其不仅具有多铁性特征,同时其铁电相变具有明显的弛豫特性,通过磁场对其电偶极矩进行调控,推动其在多功能器件中的应用。

    一种高储能密度铬和镉掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN115341201A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210998900.4

    申请日:2022-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度镉和铬掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法,该薄膜材料由Ca0.5‑xCrxCd0.5Cu3Ti4O12表示,其中x的取值为0~0.2。以醋酸钙、醋酸铬、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料,丙酸为络合剂,乙醇为溶剂,制备溶胶,提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备凝胶膜,经热处理后获得镉和铬掺杂的钛酸铜钙薄膜。本发明制备的薄膜工艺简单、成本低、重复性好,薄膜的介电和非线性性能优良,储能密度可达5.8~10.4 J/cm3,应用前景广泛。

    一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113121221A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110434283.0

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法,首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液,再合成钛酸铜钙溶胶;其次,清洗SrTiO3(001)基片,利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜;最后在不同的气氛和温度下热处理得到单一取向的CCTO薄膜。本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3(001)基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜,以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗,从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能。本发明显著降低对制膜设备的要求,重复性高,适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104,介电损耗低至0.01。

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