公开(公告)号：CN118064859A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410236375.1

申请日：2024-03-01

Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 ,  哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 李雅茹 ,  王富强 ,  张傲宇 ,  符志长 ,  王伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种热致变色多波段兼容红外隐身薄膜及其制备方法与应用，属于红外隐身薄膜技术领域。为解决现有红外隐身材料制备工艺复杂、成本高、应用面窄的问题，本发明提供了一种热致变色多波段兼容红外隐身薄膜，由上至下依次为ZnS材料层、VO2材料层、Si材料层和Ag衬底层。本发明红外隐身薄膜具有红外发射率随温度升高而降低的特性，能够根据环境温度变化自适应可逆调节薄膜发射率，具有3～5μm和8～14μm双红外波段隐身功能，在非红外探测波段5～8μm波段具有较高发射率，能够实现隐身目标在此波段的散热功能。本发明红外隐身薄膜具有结构简单、制备方法便捷的特点，薄膜可大面积覆盖在目标表面，有利于大规模推广。

公开(公告)号：CN222618815U

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202420398066.X

申请日：2024-03-01

Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院

Inventor： 李雅茹 ,  王伟 ,  高腾飞 ,  王祯 ,  郭继成

IPC: G02B5/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  G02B1/10 ,  G02F1/01

Abstract: 本实用新型涉及一种热致变色智能双波段红外隐身薄膜，属于红外隐身薄膜技术领域。为解决现有红外隐身材料制备工艺复杂、成本高、应用面窄的问题，本实用新型提供了一种热致变色智能双波段红外隐身薄膜，由上至下依次为ZnS材料层、VO2材料层、Si材料层和Ag衬底层。本实用新型红外隐身薄膜具有红外发射率随温度升高而降低的特性，能够根据环境温度变化自适应可逆调节薄膜发射率，具有3～5μm和8～14μm双红外波段隐身功能，同时在非红外探测波段5～8μm波段具有较高发射率，能够实现隐身目标在此波段的散热功能。本实用新型红外隐身薄膜具有结构简单、制备方法便捷的特点，薄膜可大面积覆盖在目标表面，有利于大规模推广。