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公开(公告)号:CN118315385A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410477721.5
申请日:2024-04-19
申请人: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号: H01L27/082 , H01L29/06 , H01L21/8222
摘要: 本发明公开一种高中低压兼容的双极结型晶体管及其制造方法,双极结型晶体管包括P型衬底、N型一次埋层、P型一次穿透隔离、N型一次外延层、N型二次埋层、P型二次穿透隔离、N型一次穿透、N型二次外延层、N型三次埋层、P型三次穿透隔离、N型二次穿透、N型三次外延层、P型四次穿透隔离、N型三次穿透、P型一次体区、N型一次重掺区、P型二次体区、N型二次重掺区、P型三次体区、N型三次重掺区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射极金属、集电极金属和基极金属;方法包括提供P型衬底,生长氧化层等步骤。本发明可以将高中低的耐压以及不同特征频率等特性的双极结型晶体管集成整合到同一套工艺中,实现器件库的多样性。