公开(公告)号：CN115910606A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211627834.6

申请日：2022-12-17

申请人： 重庆大学

发明人： 赵学童 ,  王璨 ,  乔镜琪 ,  肖永健 ,  康晟淋 ,  余亮 ,  杨丽君 ,  廖瑞金

IPC分类号： H01G4/18 ,  H01G4/14 ,  H01G4/33 ,  H01G13/04

摘要： 本发明公开了一种基于纳秒电脉冲诱导制备高性能PVDF基储能薄膜的方法，其步骤包括：制备聚偏氟乙烯‑六氟丙烯（P(VDF‑HFP)溶液，取适量溶液均匀滴加在清洗干净的玻璃凹槽中，并在一定温度下施加不同的纳秒电脉冲。自然降至室温后，将薄膜淬火，再放入真空干燥箱中干燥，以进一步除去水分和残留溶剂。本发明通过控制纳秒电脉冲的幅值、脉宽、频率、加压时间、真空干燥的时间和温度以及定制凹槽的尺寸，采用溶液浇铸法即可得到β相含量高和储能性能优异的P(VDF‑HFP)薄膜，β相含量达80%以上，充放电能量密度达14 J/cm3，充放电效率可以达到~60%以上。本发明省去了复杂的二次工艺，操作简单，大大节约了生产成本，在高性能PVDF基储能薄膜制备方面有明显的优势和应用前景。