-
公开(公告)号：CN108736023A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810481383.7
申请日：2018-05-18
申请人： 重庆大学
摘要： 一种制备高效催化硼氢根直接氧化的镍基催化剂添加剂，其特征是：(1)在常温常压下，配制0.2mol/dm3的硫酸镍NiSO4，0.6g/dm3的氯化镧LaCl3溶液作为电解液，调节pH至3左右；(2)以2cm2的光滑Ni片作为工作电极置于上述溶液中，碳棒为对电极，甘汞电极为参比电极；(3)采用恒电位法将Ni沉积到金属镍片上制成镍基催化剂；采用的沉积电位-1.0V，沉积时间110s，沉积温度301.15K。由于电解液中添加的LaCl3具有表面活性，易于吸附到电极表面且不会被还原，从而在沉积完成后使得镀层表面形成微孔，增大了催化剂的比表面积，进而提高了催化剂活性。相比未添加LaCl3制备的催化剂，其对BH4-的氧化峰峰电流增大到0.2004A，使得燃料利用率提高到41.46％。
-
公开(公告)号：CN117604553A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311393364.6
申请日：2023-10-25
申请人： 重庆大学
IPC分类号： C25B11/073 , C25B11/067 , C25B11/02 , C25B1/04 , C02F1/461
摘要： ZnIn2S4/NiFeOOH‑S薄膜电极，其制备方法包括：将InCl3、ZnCl2、硫脲溶解在乙二醇水溶液中形成反应溶液；将导电基底放置在反应溶液中进行密闭溶剂热反应以在基底的导电面上形成ZnIn2S4薄膜；将形成有ZnIn2S4薄膜的基底进行退火处理；在基底的ZnIn2S4薄膜上电解沉积NiFeOOH层；将形成有ZnIn2S4/NiFeOOH的基底在含有Na2S和Na2SO3的浸泡溶液中浸泡处理后即得ZnIn2S4/NiFeOOH‑S薄膜电极。根据本发明的薄膜电极能对硫氧化反应起到稳定明显的光电催化作用。
-
公开(公告)号：CN108736023B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201810481383.7
申请日：2018-05-18
申请人： 重庆大学
摘要： 一种制备高效催化硼氢根直接氧化的镍基催化剂添加剂，其特征是：(1)在常温常压下，配制0.2mol/dm3的硫酸镍NiSO4，0.6g/dm3的氯化镧LaCl3溶液作为电解液，调节pH至3左右；(2)以2cm2的光滑Ni片作为工作电极置于上述溶液中，碳棒为对电极，甘汞电极为参比电极；(3)采用恒电位法将Ni沉积到金属镍片上制成镍基催化剂；采用的沉积电位‑1.0V，沉积时间110s，沉积温度301.15K。由于电解液中添加的LaCl3具有表面活性，易于吸附到电极表面且不会被还原，从而在沉积完成后使得镀层表面形成微孔，增大了催化剂的比表面积，进而提高了催化剂活性。相比未添加LaCl3制备的催化剂，其对BH4‑的氧化峰峰电流增大到0.2004A，使得燃料利用率提高到41.46％。
-
-
搜索结果
3 条记录 (耗时 0.015 秒)