公开(公告)号：CN108227057A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810048528.4

申请日：2018-01-18

Applicant: 重庆大学

Inventor： 陈李 ,  郑亮 ,  毛明健 ,  宋凤民 ,  徐溢

IPC: G02B5/18 ,  G01N21/65

CPC classification number: G02B5/1809 ,  G01N21/658 ,  G02B5/1857

Abstract: 本发明公开了一种基于光栅共振的SERS基底及其制备方法，包括衬底，所述衬底表面设有金属纳米光栅，在光栅条的侧壁上附着金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒通过金属盐溶液与光栅条侧壁的置换反应制得，在金属纳米光栅表面及栅槽底部均覆盖有隔离层。其具有较高的增强系数，一致性和重现性好，制备工艺简单。

公开(公告)号：CN110745772B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201911000389.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 重庆大学

Inventor： 陈李 ,  宋凤民 ,  贾青青 ,  张志强 ,  徐溢

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构；MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力隔离封装，其平面波纹结构，对热应力的吸收效果好，并且加工工艺简单，易于实现批量制造。

公开(公告)号：CN110542498A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910839863.0

申请日：2019-09-06

Applicant: 重庆大学

Inventor： 陈李 ,  宋凤民 ,  贾青青 ,  张志强 ,  徐溢 ,  李顺波

IPC: G01L1/22

Abstract: 本发明保护一种MEMS应变式差分式压力传感器及制作方法，包括金属应变电阻、绝缘层、应变硅片、硅岛结构和支撑框架结构，在硅片背面中间位置形成硅岛结构，在四周形成支撑框架结构，硅岛结构和支撑框架结构之间形成应变硅膜。所述硅岛结构沿Y轴方向的长度是沿X轴方向长度的2倍以上。所述金属应变电阻布置在应变硅片正面，并沿Y轴对称布置在应变硅膜与支撑框架连接应力集中区域、应变硅膜与硅岛结构的连接应力集中区域。本发明采用岛-膜结构,形成对称的拉应力和压应力集中区域,解决现有应变式压力传感器难以形成对称差分测量布局的难题,抑制非线性误差和温度漂移，提高传感器的灵敏度和稳定性。

公开(公告)号：CN110745772A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201911000389.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 重庆大学

Inventor： 陈李 ,  宋凤民 ,  贾青青 ,  张志强 ,  徐溢

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构；MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力隔离封装，其平面波纹结构，对热应力的吸收效果好，并且加工工艺简单，易于实现批量制造。