公开(公告)号：CN115233059A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210974558.4

申请日：2022-08-15

申请人： 重庆大学

发明人： 袁媛 ,  张伦超 ,  王敬丰 ,  吴量 ,  潘复生

IPC分类号： C22C23/00 ,  C22C23/06 ,  C22C1/03 ,  C22F1/06 ,  G10K11/162

摘要： 本发明公开了一种高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，该合金由Mg‑Sn‑Y三种元素组成，其各组成重量百分比含量值为：Sn＝0.5‑10％，Y＝0.5‑10％，余量为镁和不可避免的杂质。本发明还公开了该高阻尼Mg‑Sn‑Y合金的制备方法。本发明所提供的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，通过适当的合金元素组合和成分优化配比，进一步叠加高温热处理程序。使得Sn和Y组合添加使基体具有较小的平衡固溶度，高温热处理工艺使基体中溶质原子析出使合金具有高位错阻尼；然后形成的弥散Mg‑Sn‑Y化合物使合金形成大量亚晶界，使合金具有高界面阻尼。本发明所得到的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金在整个测试应变范围内都是高阻尼状态(Q‑1＞0.01)，且相较于其他镁合金对比，其在应变为0.01％，0.1％时，阻尼值分别达到0.086和0.21。

公开(公告)号：CN115233059B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210974558.4

申请日：2022-08-15

申请人： 重庆大学

发明人： 袁媛 ,  张伦超 ,  王敬丰 ,  吴量 ,  潘复生

IPC分类号： C22C23/00 ,  C22C23/06 ,  C22C1/03 ,  C22F1/06 ,  G10K11/162

摘要： 本发明公开了一种高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，该合金由Mg‑Sn‑Y三种元素组成，其各组成重量百分比含量值为：Sn＝0.5‑10％，Y＝0.5‑10％，余量为镁和不可避免的杂质。本发明还公开了该高阻尼Mg‑Sn‑Y合金的制备方法。本发明所提供的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，通过适当的合金元素组合和成分优化配比，进一步叠加高温热处理程序。使得Sn和Y组合添加使基体具有较小的平衡固溶度，高温热处理工艺使基体中溶质原子析出使合金具有高位错阻尼；然后形成的弥散Mg‑Sn‑Y化合物使合金形成大量亚晶界，使合金具有高界面阻尼。本发明所得到的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金在整个测试应变范围内都是高阻尼状态(Q‑1＞0.01)，且相较于其他镁合金对比，其在应变为0.01％，0.1％时，阻尼值分别达到0.086和0.21。