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公开(公告)号:CN108115308B
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201810004388.0
申请日:2018-01-03
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明公开了一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料及其制备方法,该复合钎料按质量百分比,由60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须制成。该制备方法包括以下步骤:1、按质量百分比称取60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须,混合得到原始钎料粉末;2、将步骤1得到的原始钎料粉末和磨球置于行星式球磨罐中,抽真空后向球磨罐中充入氩气,以100~150r/min的转速,球磨2~8h,得到Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料。本发明提高了焊接的强度。
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公开(公告)号:CN115739221B
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202211525280.9
申请日:2022-11-30
申请人: 重庆大学
IPC分类号: B01L3/00 , B01L7/00 , B01F33/3033 , B01F33/30 , B01J19/00
摘要: 本发明涉及微流控芯片技术领域,公开了一种具有尖角结构和蜗牛形通道的芯片装置,包括依次连通的进样系统、混合通道、受热通道和收集装置,受热通道的下方设置有用于对受热通道加热的加热系统,混合通道呈蜗牛形盘旋结构,受热通道为回转结构。本技术方案采用S形受热通道结合方形螺旋ITO层的加热,能够提高传质传热效果,提高反应速率,缩短合成反应时间。
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公开(公告)号:CN115739221A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211525280.9
申请日:2022-11-30
申请人: 重庆大学
IPC分类号: B01L3/00 , B01L7/00 , B01F33/3033 , B01F33/30 , B01J19/00
摘要: 本发明涉及微流控芯片技术领域,公开了一种具有尖角结构和蜗牛形通道的芯片装置,包括依次连通的进样系统、混合通道、受热通道和收集装置,受热通道的下方设置有用于对受热通道加热的加热系统,混合通道呈蜗牛形盘旋结构,受热通道为回转结构。本技术方案采用S形受热通道结合方形螺旋ITO层的加热,能够提高传质传热效果,提高反应速率,缩短合成反应时间。
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公开(公告)号:CN108115308A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201810004388.0
申请日:2018-01-03
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明公开了一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料及其制备方法,该复合钎料按质量百分比,由60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须制成。该制备方法包括以下步骤:1、按质量百分比称取60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须,混合得到原始钎料粉末;2、将步骤1得到的原始钎料粉末和磨球置于行星式球磨罐中,抽真空后向球磨罐中充入氩气,以100~150r/min的转速,球磨2~8h,得到Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料。本发明提高了焊接的强度。
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