公开(公告)号：CN116364901A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310362776.7

申请日：2023-04-07

申请人： 重庆大学

发明人： 袁媛 ,  郑兴旺 ,  李大建 ,  吴量 ,  王敬丰 ,  潘复生

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/54 ,  C22C12/00 ,  C22C1/04 ,  B22F9/04 ,  C22C28/00

摘要： 本发明公开了一种In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料，所述三元共晶合金负极材料包括In、Sn和Bi三种元素，且所述In、Sn的摩尔比为(1‑2)：1，Bi含量大于25％。本发明还公开了In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料的制备方法和应用。本发明所提供的In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料，其通过采用特定摩尔比的In元素与Sn元素组合，同时与具有良好动力学但容易衰减的Bi组合，三者在球磨合金化过程中形成了细小的纳米结构的共晶组织，显著增加活性物质的比表面积和结构的稳定性，形成的六方晶系的Bi相、正方晶系的Sn相和四方晶系的InBi相提高了镁电池的比容量，并具有优秀的循环稳定性。含有该In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料所制得的合金负极材料在80圈循环之后筛减极小，容量保持率高达98％。