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公开(公告)号：CN114611277B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210185446.0
申请日：2022-02-28
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F17/18 , H02M1/088 , H02M1/44 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，包括以下步骤：1)对六相逆变器中SiC MOSFET的暂态开关过程进行建模，得到SiC MOSFET在暂态开关过程中的栅源电压ugs；2)建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型；3)建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型；4)根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型，计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压。本发明基于SiC MOSFET暂态开关函数的建模方法，物理概念清晰，计算方法简单，能对六相逆变器电磁干扰源进行建模表征源头。
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公开(公告)号：CN116306147A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310283334.3
申请日：2023-03-22
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司超高压分公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F17/18 , G06T17/20 , G06F113/04
摘要： 本发明涉及一种计算特高压直流输电线路下人体电场分布的方法，属于高压输电技术领域。该方法包括以下内容：a、计算，应用模拟电荷法计算特高压直流输电线路导线电荷密度和电场线法计算空间离子密度，以计算输电线路下空间任一点的电位；b、人体建模，参考人体建模尺寸的基本数据，依据人体与输电线路的相对位置和输电线路的实际高度，建立计算人体电场分布的空间区域；c、区域划分，根据有无人体存在对有限元区域边界条件的影响，选择合适计算区域，分析人体在在特高压直流输电线路下的内部和表面的场强分布情况。本发明可以为在特高压直流输电线路下活动的人群做好电磁防护提供技术参考。
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公开(公告)号：CN114626192A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111548744.3
申请日：2021-12-17
申请人： 重庆大学 , 中国舰船研究设计中心
IPC分类号： G06F30/20 , G06F111/04 , G06F113/04
摘要： 本发明公开一种基于测试数据的强电磁设备传导干扰的单端口等效通用建模方法，步骤包括：1)获取频域测试数据；2)利用测试数据的频谱信息反演测试数据的时域信息，为电磁干扰模型提供输入；3)建立电路内阻抗模型；4)对电路内阻抗模型进行无源优化，得到优化的电路内阻等效电路模型；本发明利用基于频域谱的时域波形重建技术，利用最小相位方法重建阻抗的相位信息，进而反演其电路的时域波形，最终可以解决实际系统中输入获得困难等方面的问题。
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公开(公告)号：CN110427726A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910740248.4
申请日：2019-08-12
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明涉及一种复杂结构工频电场计算的粒子群优化模拟电荷法，属于电气工程技术领域。复杂结构工频电场计算的粒子群优化模拟电荷法以下步骤：S1：传统优化模拟电荷法CSM；S2：粒子群优化算法PSO；S3：粒子群优化模拟电荷法PSO-CSM。本优化模拟电荷法解决带电设施形状复杂或计算规模较大时，单独使用模拟电荷法难以找到较为合理的模拟电荷布置方式的难题。且连续运行结果基本稳定，均可保持较高的优化水平，具有较好的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN116167196A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111415779.X
申请日：2021-11-25
申请人： 重庆大学 , 中国舰船研究设计中心
摘要： 本发明公开一种复杂多层磁性材料低频等效电磁参数提取方法，步骤为：1)建立磁性材料散射参数、相对介电常数和相对磁导率的表达式；2)根据周期结构Floquet定理，建立磁性材料仿真模型；3)设置磁性材料仿真模型的主从边界条件和Floquet端口；4)对磁性材料仿真模型施加激励，得到磁性材料的电磁参数。本发明可以在低频范围时提取单层、多层非均匀以及复杂结构的磁性材料的电磁参数，将多层非均匀以及复杂结构的磁性材料等效为单层均匀磁性材料。
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公开(公告)号：CN115422868A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210872939.1
申请日：2022-07-21
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/23
摘要： 本发明公开一种大容量短时工作的隔离型DC‑DC直流充电机时域EMI建模方法，步骤包括：1)根据船舶平台大功率DC‑DC直流变换装置电路拓扑，建立以超级电容器为时变负载的等效电路模型；2)确定大功率DC‑DC直流变换装置充电系统的控制方式；3)提取等效电路模型中各元器件的寄生参数；4)根据寄生参数分析恒流充电方式以及恒压充电方式下的直流充电系统对直流电网侧的电磁干扰特性。本发明在隔离型DC‑DC直流充电机的电磁干扰耦合路径理论分析的基础上建立直流充电系统的EMI等效电路模型，得出直流电网侧电磁干扰电压的时域结果，进而能通过时频变换直接分析宽频域的直流充电机EMI特性。
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公开(公告)号：CN116127710A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211611366.3
申请日：2022-12-14
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/367
摘要： 本发明公开一种基于多端口等效电路级联的强电磁系统瞬时传导电磁干扰建模方法，包括以下步骤：1)建立超级电容多端口瞬态传导EMI模型；2)建立包含寄生效应的多相电机多端口瞬态传导EMI模型；3)计算多相电机等效电路参数；4)基于多相电机等效电路参数，建立多相电机的多端口瞬态传导EMI模型；5)建立基于数据流的多端口等效电路级联的强电磁系统的瞬态传导电磁干扰系统级模型，该模型用于计算强电磁系统直流侧的共模电磁干扰与差模电磁干扰特性。本发明能用于预测大功率强电磁系统瞬时传导电磁干扰特性，为船舶平台瞬时工作的大功率强电磁系统传导电磁干扰分析以及针对传导电磁干扰抑制奠定基础。
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公开(公告)号：CN114611277A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210185446.0
申请日：2022-02-28
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F17/18 , H02M1/088 , H02M1/44 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，包括以下步骤：1)对六相逆变器中SiC MOSFET的暂态开关过程进行建模，得到SiC MOSFET在暂态开关过程中的栅源电压ugs；2)建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型；3)建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型；4)根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型，计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压。本发明基于SiC MOSFET暂态开关函数的建模方法，物理概念清晰，计算方法简单，能对六相逆变器电磁干扰源进行建模表征源头。
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公开(公告)号：CN108959768A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810712140.X
申请日：2018-06-29
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009
摘要： 本发明提供一种可高效、准确的计算出复杂场景中输变电系统的工频电场的方法。基于分区域模拟电荷法的复杂场景工频电场计算方法，包括以下内容：a、建模，根据待计算工频电场强度的实际空间区域建立三维模型；b、区域划分，将三维模型划分为若干个子模型区域；c、虚拟边界的设置，为子模型区域分别设置虚拟边界，其中，两两相邻的子模型区域的虚拟边界相互交叉；d、确定每一个子模型区域虚拟边界的电位趋近值；e、根据每一个子模型区域虚拟边界的电位趋近值，确定每一个子模型区域中的模拟电荷值；f、根据确定的模拟电荷值，计算每一个子模型区域中的工频电场强度。本发明通过仿真实验，验证了本计算方法的高效性和可靠性，可以为输变电系统复杂场景下的工频电场的计算与研究提供技术参考。
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公开(公告)号：CN108959768B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810712140.X
申请日：2018-06-29
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种可高效、准确的计算出复杂场景中输变电系统的工频电场的方法。基于分区域模拟电荷法的复杂场景工频电场计算方法，包括以下内容：a、建模，根据待计算工频电场强度的实际空间区域建立三维模型；b、区域划分，将三维模型划分为若干个子模型区域；c、虚拟边界的设置，为子模型区域分别设置虚拟边界，其中，两两相邻的子模型区域的虚拟边界相互交叉；d、确定每一个子模型区域虚拟边界的电位趋近值；e、根据每一个子模型区域虚拟边界的电位趋近值，确定每一个子模型区域中的模拟电荷值；f、根据确定的模拟电荷值，计算每一个子模型区域中的工频电场强度。本发明通过仿真实验，验证了本计算方法的高效性和可靠性，可以为输变电系统复杂场景下的工频电场的计算与研究提供技术参考。
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