公开(公告)号：CN109458934A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201810725273.0

申请日：2018-07-04

申请人： 重庆大学

发明人： 杨士中 ,  王韬 ,  杨士德

IPC分类号： G01B11/02

摘要： 本发明公开了一种光学微位移测量系统，被测物体通过连接杆与激光管相连，激光管与被测物体有相同的位移；若激光管发出的光经透镜系统形成光点只打在光电二极管阵列上某个光电二级管上，激光管的位置与光电二极管阵列中光点位置对应，即与受光二极管的序号对应。当打在光电二极管阵列的光斑可能覆盖多个二极管时，根据光电二极管阵列上激光强度分布，可设想一个等效光电二极管，其序号可为非整数，对应的输出电压是V∑，对加法器输出的贡献等于全部受光二极管输出V1…Vi…Vn贡献的总和。等效光电二极管的序号表示光电二极管阵列全部受光二极管的重心位置，重心位置与光电二极管阵列上激光强度分布有关，与光照强度、传播衰减无关。

公开(公告)号：CN109458934B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201810725273.0

申请日：2018-07-04

申请人： 重庆大学

发明人： 杨士中 ,  王韬 ,  杨士德

IPC分类号： G01B11/02

摘要： 本发明公开了一种光学微位移测量系统，被测物体通过连接杆与激光管相连，激光管与被测物体有相同的位移；若激光管发出的光经透镜系统形成光点只打在光电二极管阵列上某个光电二极管上，激光管的位置与光电二极管阵列中光点位置对应，即与受光二极管的序号对应。当打在光电二极管阵列的光斑可能覆盖多个二极管时，根据光电二极管阵列上激光强度分布，可设想一个等效光电二极管，其序号可为非整数，对应的输出电压是V∑，对加法器输出的贡献等于全部受光二极管输出V1…Vi…Vn贡献的总和。等效光电二极管的序号表示光电二极管阵列全部受光二极管的重心位置，重心位置与光电二极管阵列上激光强度分布有关，与光照强度、传播衰减无关。

公开(公告)号：CN209101998U

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201821057143.6

申请日：2018-07-04

申请人： 重庆大学

发明人： 杨士中 ,  王韬 ,  杨士德

IPC分类号： G01B11/02

摘要： 本实用新型公开了一种光学微位移测量系统，被测物体通过连接杆与激光管相连，激光管与被测物体有相同的位移；若激光管发出的光经透镜系统形成光点只打在光电二极管阵列上某个光电二极管上，激光管的位置与光电二极管阵列中光点位置对应，即与受光二极管的序号对应。当打在光电二极管阵列的光斑可能覆盖多个二极管时，根据光电二极管阵列上激光强度分布，可设想一个等效光电二极管，其序号可为非整数，对应的输出电压是V∑，对加法器输出的贡献等于全部受光二极管输出V1…Vi…Vn贡献的总和。等效光电二极管的序号表示光电二极管阵列全部受光二极管的重心位置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利