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公开(公告)号：CN113380939A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110642004.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明涉及一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED制备方法及其产品，属于半导体发光材料技术领域。本发明提供了一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED的制备方法，主要将蓝色发光碳点、绿色发光碳点和红色发光AgInZnS纳米颗粒涂覆到在UV‑LED芯片上制备高显色指数WLED，该方法所选用的荧光材料无毒性，制备过程中不使用毒性有机溶剂，对人体及环境均无危害；同时在制备过程中不需惰性气体保护，操作简单，制备成本低廉，适合工业化生产。通过本发明的制备方法制备得到的基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED具有色温可调、显色指数高且显色稳定性好的特点。
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