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公开(公告)号：CN108296297B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810069057.5
申请日：2018-01-24
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明属于材料挤压技术领域，公开的一种平行双通道ECAP‑Conform方法及装置；包括螺栓、边缘带有矩形凹槽的挤压轮、压实轮、上模、下模、挡料块、挤压模具等；以具有一定长度的条料或棒料为预制坯料，坯料在分别与挤压轮Ⅰ、挤压轮Ⅱ边缘矩形凹槽相接触所产生的三面主动摩擦力作用下，随轮顺时针或逆时针转过四分之一圆周，受凸入到挤压轮边缘矩形凹槽内的挡料块阻挡，矩形型腔内坯料被迫在剪切作用下转过两个ECAP中的通道交角，完成了两次剪切变形。本发明在一次连续等通道转角挤压过程中完成两次剪切变形且两次剪切变形分别主要作用于坯料的两个面，等同于路径C的ECAP变形，生产效率高，挤压后材料组织性能更加均匀。
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公开(公告)号：CN108296297A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810069057.5
申请日：2018-01-24
申请人： 重庆大学
CPC分类号： B21C23/001 , B21C25/00 , B21C25/02
摘要： 本发明属于材料挤压技术领域，公开的一种平行双通道ECAP-Conform方法及装置；包括螺栓、边缘带有矩形凹槽的挤压轮、压实轮、上模、下模、挡料块、挤压模具等；以具有一定长度的条料或棒料为预制坯料，坯料在分别与挤压轮Ⅰ、挤压轮Ⅱ边缘矩形凹槽相接触所产生的三面主动摩擦力作用下，随轮顺时针或逆时针转过四分之一圆周，受凸入到挤压轮边缘矩形凹槽内的挡料块阻挡，矩形型腔内坯料被迫在剪切作用下转过两个ECAP中的通道交角，完成了两次剪切变形。本发明在一次连续等通道转角挤压过程中完成两次剪切变形且两次剪切变形分别主要作用于坯料的两个面，等同于路径C的ECAP变形，生产效率高，挤压后材料组织性能更加均匀。
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公开(公告)号：CN112968007B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
申请人： 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
摘要： 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN112968007A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
申请人： 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
摘要： 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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