单片集成式半桥功率器件模块

    公开(公告)号:CN111081705B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN201911168608.4

    申请日:2019-11-25

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种单片集成式半桥功率器件模块,属于半导体技术领域。该模块包括隔离环、被隔离环包围的低侧功率器件和位于隔离环之外的高侧功率器件;低侧功率器件的外围与隔离环的一侧直接接触,高侧功率器件的外围一侧与隔离环的一侧直接接触。隔离环由多个交替排列的导电类型不同的半导体漂移区组成,其背部被刻蚀并覆盖有绝缘介质保护区,形成沟槽,使得隔离环两侧的半导体区域电气隔离。隔离环可以有效地隔离集成在同一个芯片上的高侧和低侧功率器件,使它们的电极可以被分开偏置。与板级集成功率器件模块和单封装集成功率器件模块相比,功率器件的单片集成使得模块所占面积小,同时,较短的引线也使得寄生电感小。

    单片集成式半桥功率器件模块

    公开(公告)号:CN111081705A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911168608.4

    申请日:2019-11-25

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种单片集成式半桥功率器件模块,属于半导体技术领域。该模块包括隔离环、被隔离环包围的低侧功率器件和位于隔离环之外的高侧功率器件;低侧功率器件的外围与隔离环的一侧直接接触,高侧功率器件的外围一侧与隔离环的一侧直接接触。隔离环由多个交替排列的导电类型不同的半导体漂移区组成,其背部被刻蚀并覆盖有绝缘介质保护区,形成沟槽,使得隔离环两侧的半导体区域电气隔离。隔离环可以有效地隔离集成在同一个芯片上的高侧和低侧功率器件,使它们的电极可以被分开偏置。与板级集成功率器件模块和单封装集成功率器件模块相比,功率器件的单片集成使得模块所占面积小,同时,较短的引线也使得寄生电感小。

    一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法

    公开(公告)号:CN108539018A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810066650.4

    申请日:2018-01-24

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动,包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5),绝缘层(2)为一种普适材料PVP,在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2),在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32),在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc,形成为有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤:1、ITO基片的预处理;2、在基片上旋涂绝缘层;3、蒸镀Pentance和F16CuPc;4、源漏电极的制备。本发明的OFET管驱动提高了OFET管驱动性能,且能降低OFET管驱动制备难度,制备工艺简单;实现一种同时满足在空气中稳定且性能优良的OFET管驱动,本方法发明在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。

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