公开(公告)号：CN111081705B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201911168608.4

申请日：2019-11-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 林智 ,  王志皓 ,  韩姝 ,  李平 ,  胡盛东

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及一种单片集成式半桥功率器件模块，属于半导体技术领域。该模块包括隔离环、被隔离环包围的低侧功率器件和位于隔离环之外的高侧功率器件；低侧功率器件的外围与隔离环的一侧直接接触，高侧功率器件的外围一侧与隔离环的一侧直接接触。隔离环由多个交替排列的导电类型不同的半导体漂移区组成，其背部被刻蚀并覆盖有绝缘介质保护区，形成沟槽，使得隔离环两侧的半导体区域电气隔离。隔离环可以有效地隔离集成在同一个芯片上的高侧和低侧功率器件，使它们的电极可以被分开偏置。与板级集成功率器件模块和单封装集成功率器件模块相比，功率器件的单片集成使得模块所占面积小，同时，较短的引线也使得寄生电感小。

公开(公告)号：CN111081705A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911168608.4

申请日：2019-11-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 林智 ,  王志皓 ,  韩姝 ,  李平 ,  胡盛东

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及一种单片集成式半桥功率器件模块，属于半导体技术领域。该模块包括隔离环、被隔离环包围的低侧功率器件和位于隔离环之外的高侧功率器件；低侧功率器件的外围与隔离环的一侧直接接触，高侧功率器件的外围一侧与隔离环的一侧直接接触。隔离环由多个交替排列的导电类型不同的半导体漂移区组成，其背部被刻蚀并覆盖有绝缘介质保护区，形成沟槽，使得隔离环两侧的半导体区域电气隔离。隔离环可以有效地隔离集成在同一个芯片上的高侧和低侧功率器件，使它们的电极可以被分开偏置。与板级集成功率器件模块和单封装集成功率器件模块相比，功率器件的单片集成使得模块所占面积小，同时，较短的引线也使得寄生电感小。

公开(公告)号：CN108539018A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810066650.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 重庆大学

Inventor： 周建林 ,  倪尧 ,  周鑫 ,  余江鹏 ,  甘平 ,  王志皓 ,  王凡城 ,  周唐奇

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32)，在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc，形成为有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤：1、ITO基片的预处理；2、在基片上旋涂绝缘层；3、蒸镀Pentance和F16CuPc；4、源漏电极的制备。本发明的OFET管驱动提高了OFET管驱动性能，且能降低OFET管驱动制备难度，制备工艺简单；实现一种同时满足在空气中稳定且性能优良的OFET管驱动，本方法发明在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。