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公开(公告)号：CN103531601A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310506010.8
申请日：2013-10-24
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种用于直接探测X射线的大面积CMOS图像传感器，包括PCB板和若干图像传感器芯片；所述图像传感器芯片，包括P型半导体硅衬底，所述P型半导体硅衬底上设置有像元、时序产生电路、列信号处理以及缓冲输出电路；所述图像传感器芯片呈阵列的方式分布于PCB板上，且相邻图像传感器芯片的边缘处对应位置的像元之间的间距为同一图像传感器芯片上相邻两像元间距的1倍或1.5倍。本发明结构简单，成本低廉，制作方便，能够进行大面积的X射线探测。
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公开(公告)号：CN1806865A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510057448.8
申请日：2005-12-17
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提出一种用于人工视觉修复的视网膜电刺激像元电路，它由一个光电二极管、一个具有施密特触发器功能的CMOS反相器、一条反馈回路及一个刺激电极所组成。外界可见光照为光电二极管的输入，在光电二极管上形成光电流，光电二极管的阳极接地，阴极连接具有施密特触发器功能的CMOS反相器的输入端，反馈回路连接于具有施密特触发器功能的CMOS反相器的输出端和光电二极管的阴极之间，具有施密特触发器功能的CMOS反相器的输出端与刺激电极相连，由刺激电极输出视网膜电刺激信号。具有施密特触发器功能的CMOS反相器由三个NMOS管和三个PMOS管构成，反馈回路由一个NMOS管和一个PMOS管组成。本像元电路具有结构简单，像元面积小和功耗低，线性度高和稳定性好的优点。
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公开(公告)号：CN103531601B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310506010.8
申请日：2013-10-24
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种用于直接探测X射线的大面积CMOS图像传感器，包括PCB板和若干图像传感器芯片；所述图像传感器芯片，包括P型半导体硅衬底，所述P型半导体硅衬底上设置有像元、时序产生电路、列信号处理以及缓冲输出电路；所述图像传感器芯片呈阵列的方式分布于PCB板上，且相邻图像传感器芯片的边缘处对应位置的像元之间的间距为同一图像传感器芯片上相邻两像元间距的1倍或1.5倍。本发明结构简单，成本低廉，制作方便，能够进行大面积的X射线探测。
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公开(公告)号：CN101590305A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910104126.2
申请日：2009-06-18
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供一种用于视觉功能修复的人工视网膜电刺激像元电路，包括一个光电二极管、一个电容C1、一个施密特触发器、一个CMOS反相器、一个充放电控制回路和一个刺激电极；光电二极管的阳极接地，外界可见光照为光电二极管的输入，光电二极管的阴极连接控制回路的第一输出端，施密特触发器的输出为CMOS反相器的输入，反相器的输出端与刺激电极相连，刺激电极作为像元电路的输出端；CMOS反相器的输出端与充放电控制回路的控制端连接，控制回路的第二输出端为施密特触发器的输入端，在施密特触发器的输入端与地之间连接有电容C1。本发明的像元电路能够显著提高电路的动态范围，大幅度降低功耗，且像元电路输出脉冲信号的脉宽固定，像元面积减小，芯片集成度提高，实用性强。
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公开(公告)号：CN103928485A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410192257.1
申请日：2014-05-08
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种高输出幅度的X射线图像传感器，包括时序控制电路、像素单元电路、采样保持电路和输出缓冲电路，所述图像传感器中像元电路的电荷收集元与复位开关管合二为一。复位开关管采用PMOS晶体管结构，在P型衬底上制作的PMOS晶体管是制作在N阱中的，电荷收集元即为利用该N阱与P型衬底之间形成的二极管(N阱/P衬底二极管)。本发明改进的像元电路中将像元结构中的复位管由通常的NMOS晶体管改为PMOS晶体管，PMOS复位晶体管构建在形成电荷收集二极管的N阱结构中。这样PMOS晶体管同时起到了收集阱与复位管两种功能，一方面避免了引入多余N阱影响对辐射电荷收集的效果，另一方面由于复位晶体管由NMOS晶体管改为PMOS晶体管使得电荷收集元的阴极电压能够更好的复位到电源电压，从而提高信号电压输出幅度。
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公开(公告)号：CN103928485B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410192257.1
申请日：2014-05-08
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种高输出幅度的X射线图像传感器，包括时序控制电路、像素单元电路、采样保持电路和输出缓冲电路，所述图像传感器中像元电路的电荷收集元与复位开关管合二为一。复位开关管采用PMOS晶体管结构，在P型衬底上制作的PMOS晶体管是制作在N阱中的，电荷收集元即为利用该N阱与P型衬底之间形成的二极管(N阱/P衬底二极管)。本发明改进的像元电路中将像元结构中的复位管由通常的NMOS晶体管改为PMOS晶体管，PMOS复位晶体管构建在形成电荷收集二极管的N阱结构中。这样PMOS晶体管同时起到了收集阱与复位管两种功能，一方面避免了引入多余N阱影响对辐射电荷收集的效果，另一方面由于复位晶体管由NMOS晶体管改为PMOS晶体管使得电荷收集元的阴极电压能够更好的复位到电源电压，从而提高信号电压输出幅度。
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公开(公告)号：CN101590305B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910104126.2
申请日：2009-06-18
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供一种用于视觉功能修复的人工视网膜电刺激像元电路，包括一个光电二极管、一个电容C1、一个施密特触发器、一个CMOS反相器、一个充放电控制回路和一个刺激电极；光电二极管的阳极接地，外界可见光照为光电二极管的输入，光电二极管的阴极连接控制回路的第一输出端，施密特触发器的输出为CMOS反相器的输入，反相器的输出端与刺激电极相连，刺激电极作为像元电路的输出端；CMOS反相器的输出端与充放电控制回路的控制端连接，控制回路的第二输出端为施密特触发器的输入端，在施密特触发器的输入端与地之间连接有电容C1。本发明的像元电路能够显著提高电路的动态范围，大幅度降低功耗，且像元电路输出脉冲信号的脉宽固定，像元面积减小，芯片集成度提高，实用性强。
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公开(公告)号：CN100391558C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510057448.8
申请日：2005-12-17
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提出一种用于人工视觉修复的视网膜电刺激像元电路，它由一个光电二极管、一个具有施密特触发器功能的CMOS反相器、一条反馈回路及一个刺激电极所组成。外界可见光照为光电二极管的输入，在光电二极管上形成光电流，光电二极管的阳极接地，阴极连接具有施密特触发器功能的CMOS反相器的输入端，反馈回路连接于具有施密特触发器功能的CMOS反相器的输出端和光电二极管的阴极之间，具有施密特触发器功能的CMOS反相器的输出端与刺激电极相连，由刺激电极输出视网膜电刺激信号。具有施密特触发器功能的CMOS反相器由三个NMOS管和三个PMOS管构成，反馈回路由一个NMOS管和一个PMOS管组成。本像元电路具有结构简单，像元面积小和功耗低，线性度高和稳定性好的优点。
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公开(公告)号：CN2586314Y
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN02245464.0
申请日：2002-12-31
申请人： 重庆大学
摘要： 新结构相关双采样保持电路，包含有源随管Msf1、开关管MLp、采样选通管Msh和直流复位管Mdc，源随管Msf1的源极经开关管MLp接电源，且经采样保持电容Ccds接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管Msh接地，栅极接积分电容。源随管Msf1的源极和衬底接在一起，以减小MOS管的体效应；直流复位管Mdc的漏极和源极分别接缓冲输出级的输入端和地；开关管MLp、采样选通管Msh和直流复位管Mdc的栅极均接同一控制脉冲Vcdsh。它具有结构简单、驱动脉冲简单，数模转换方便，且提高了帧频率，功耗很小和输出噪声特性大幅改善等优点。本实用新型可用于各种光电、光伏和光导探测器的积分信号的输出处理。
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公开(公告)号：CN2754070Y
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200420061801.0
申请日：2004-10-22
申请人： 重庆大学
摘要： 用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路，该电路包括：缓冲直接注入结构、背景电流和暗电流的电流存储器及相关双采样电路，其改进在于背景电流和暗电流存储器100的控制端即NMOS管106的栅极，依次连接PMOS管108、模数\数模转换器109和非易失性存储器110，从而构成存储和自动刷新所保存的背景电流和暗电流的电路。本实用新型的电路利用电流存储器进行背景电流自动抑制，并采用模数和数模转换器以及非易失性存储器来保持电流存储器中的电容上的电压不会衰减，克服了现有高背景电流抑制读出电路在使用中需要用机械电子装置定期校正的缺点，而且该电路具有很高的电荷处理能力。
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