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公开(公告)号：CN116626464A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310578346.9
申请日：2023-05-22
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法，所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元；峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR；模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元；控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙，设计合理，结构简单等特点，能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
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公开(公告)号：CN116846211A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310888542.6
申请日：2023-07-19
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02M1/32 , H02M1/38 , H02M1/088 , H02M1/00 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法，在包括主桥臂A、B、C的三相逆变器中，设有用于分时导通的冗余桥臂D和用于换相的双向可控硅TA、TB和TC；由控制器发出控制指令，根据三相主桥臂A、B、C各相输出电流的相位，来决定是否需要进行分时导通控制；当判断某相电流进入较大区间时，由控制器开通与该相连接的双向可控硅并且把该相桥臂的驱动信号给予冗余桥臂，并把该相桥臂上的SiC MOSFET关断，从而使该相桥臂暂时“休息”，实现降低该桥臂结温峰值和结温波动幅值的目的，进而实现三相主桥臂A、B、C和冗余桥臂D及双向可控硅TA、TB和TC的分时导通与换相，以提升三相逆变器中SiC MOSFET运行寿命。
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公开(公告)号：CN116773910A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310742330.7
申请日：2023-06-21
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R27/04 , G01R23/04 , G01R23/163
摘要： 本发明公开了一种基于模态分析的多逆变器系统电网阻抗检测方法，包括多逆变器系统模态分析模型的建立、系统谐振信息数据库的建立。根据新能源发电系统的运行工况，确定电网阻抗的波动范围，将其分别带入系统的导纳矩阵，并依次计算谐振频率，形成系统谐振信息的数据库；在系统运行过程中，检测逆变器输出电流和总入网电流的波形，并进行频谱分析，得到系统的谐振频率，与数据库信息进行对比，确定实时的电网阻抗参数。本发明在逆变器并联运行过程中，可以通过检测系统电流的谐振信息确定电网阻抗，并且不影响系统的正常运行，解决了新能源系统电网阻抗检测的难题。
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公开(公告)号：CN116799745A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310866470.5
申请日：2023-07-14
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开一种用于GaN MIS‑HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路，所述保护方法包括通过差分采样电路获取栅极驱动电阻RGon的电压，以此来还原驱动回路的栅极泄漏电流；然后通过带有复位开关S1的积分电路对栅极泄漏电流积分以获取栅极泄漏电荷；再通过比较器获取短路故障信号；最后硬关断电路将短路故障信号通过SR锁存器锁存，锁存器的输出信号Q直接连接LED灯以作短路故障警示信号，锁存器的另一输出信号‑Q经数字隔离器把使能信号反馈给GaN MIS‑HEMT的隔离型驱动，控制驱动芯片使能工作。所述保护电路包括栅极泄漏电荷检测电路和硬关断电路。本发明解决现有技术存在受PCB布局和器件封装结构寄生参数的影响，短路保护电路设计复杂、成本高等问题。
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