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公开(公告)号:CN114807681B
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210250100.4
申请日:2022-03-14
申请人: 重庆材料研究院有限公司
摘要: 本发明涉及一种低内耗大磁致伸缩合金及制备方法,所述材料各组分的重量百分含量为:C:0.02~0.05%,B:0.007~0.015%,Ca:0.002~0.01%,Mo:0.10~0.99%,Nb:1.0~2.0%,Ti:3.1~4.0%,Al:0.1~0.3%,Ni:55.01~70.00%,余量为Fe及不可避免的杂质。本发明所述低内耗大磁致伸缩合金其制备方法简单易行,合金的内耗低,磁致伸缩系数大,有效降低了磁致伸缩材料内弹性波的衰减,应用于磁致伸缩传感器,解决了现有技术生产的磁致伸缩传感器信号衰减快、信号远传性能差等的技术问题。
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公开(公告)号:CN114807681A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210250100.4
申请日:2022-03-14
申请人: 重庆材料研究院有限公司
摘要: 本发明涉及一种低内耗大磁致伸缩合金及制备方法,所述材料各组分的重量百分含量为:C:0.02~0.05%,B:0.007~0.015%,Ca:0.002~0.01%,Mo:0.10~0.99%,Nb:1.0~2.0%,Ti:3.1~4.0%,Al:0.1~0.3%,Ni:55.01~70.00%,余量为Fe及不可避免的杂质。本发明所述低内耗大磁致伸缩合金其制备方法简单易行,合金的内耗低,磁致伸缩系数大,有效降低了磁致伸缩材料内弹性波的衰减,应用于磁致伸缩传感器,解决了现有技术生产的磁致伸缩传感器信号衰减快、信号远传性能差等的技术问题。
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