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公开(公告)号：CN119438088A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540364.9
申请日：2024-10-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/03 , G01N21/3581
Abstract: 本发明请求保护一种基于太赫兹BIC超表面的VOC传感器，包括介质基底、微流通道基底及微流通道，在介质基底一侧还包括有四组全介电圆柱形高电阻硅结构周期性排布所形成的阵列结构，介质基底与四组全介电圆柱形高电阻硅结构构成了全介质连续体束缚态BIC超表面，能够显著提高Q值，连续体束缚态BIC超表面与微流通道基底集成。一个单元中全电介质结构由四组圆柱型高电阻硅构成，四组圆柱型高电阻硅构成C4v对称四聚体簇，四组全介电圆柱形高电阻硅由薄翅片相连，与微流控通道进行集成，能够实现挥发性有机化合物(VOC)待测物的准确测量。本发明实例提供的基于太赫兹BIC超表面的VOC传感器，结合太赫兹时域光谱系统，可以实现不同溶液浓度条件下VOC的有效测量，其结构简单，制作工艺成熟，在太赫兹源器件、太赫兹传感等多个领域有着重要的应用前景。
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