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公开(公告)号：CN115876343A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211456114.8
申请日：2022-11-21
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明涉及一种基于MOSFET感温的时域温度传感器，属于温度传感器领域。该温度传感器包括依次连接的感温单元和频率数字转换器。其中频率数字转换器包括压控振荡器和计数器。该温度传感器通过感温单元感知外界温度，并将物理信号转换为模拟信号，经由压控振荡器将模拟信号转换为频率信号输入所述计数器中，再由计数器读出表征温度信息的数字码值。本发明相比于传统的温度传感器具有功耗低、面积小、结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN118033619A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410235593.3
申请日：2024-03-01
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： G01S13/10
摘要： 本发明属于信号处理技术领域，具体涉及一种基于FastICA算法的雷达测距方法；该方法包括：采集多路雷达的观测信号，多路雷达源信号经过未知的线性混合系统后生成的多路观测信号；对多路观测信号数据进行预处理，包括中心化和白化处理，得到白化数据；将白化数据输入到改进FastICA算法模块中进行处理，得到分离信号；将分离信号输入到LFM雷达信号脉冲压缩系统中进行处理，得到距离信息；本发明有效减少了硬件资源的消耗，并行化提升算法的计算速度，有利于缩小芯片电路体积，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN115857607A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211455579.1
申请日：2022-11-21
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源，属于基准源技术领域。该基准源电路中的电路元件全部采用MOS管，其中使用了工作在深线性区的NMOS管取代了传统电流基准源电路中的电阻，同时令PMOS管的尺寸均一致。本发明具有结构简单、五启动电路、温度系数小、功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN118041244A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410206327.8
申请日：2024-02-26
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明提供一种快启动低功耗的晶体振荡器电路,包括：启动电路以及振荡电路；所述振荡电路包括：改进的反相放大器电路；所述启动电路用于为改进的反相放大器电路提供启动信号；所述改进的反相放大器电路包括：由晶体管Mp1和MN2组成的反相器、与晶体管Mp1串联的晶体管Mp7、与晶体管MN2串联的晶体管MN8、与晶体管Mp7并联的晶体管Mp3和Mp4、以及与晶体管MN8并联的晶体管MN5和MN6；本发明通过在传统Pierce振荡电路结构上增加限流结构MOS管Mp7和MN8，减小工作电流降低功耗，同时在Mp7和MN8两端分别并联Mp3和Mp4、MN5和MN6，减小Mp1和MN2两端总电阻，从而减小起振时间。
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