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发明公开
芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法审中-实审转让

公开(公告)号：CN115440583A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211310053.4

申请日：2022-10-25

申请人： 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

发明人： 李其鲁 , 刘海涛 , 丁文波 , 叶甜春 , 陈少民 , 李彬鸿

IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768

摘要： 本发明涉及半导体技术领域,公开了芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法，在实际使用时，本发明通过在一个物理气相沉积腔体内完成前层金属线表面的氧化层去除和后续的沉积工艺制作，不用额外增加一个预清洁蚀刻腔体来蚀刻掉氧化层，减少了芯片金属互联线制作时所需要的腔体数量和维护成本，而且由于不用因去除前层金属线表面的氧化层将芯片在腔体之间周转，增加了芯片产出。