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1.

发明授权
受保护电极结构和方法有权

公开(公告)号：CN105051944B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480014718.4

申请日：2014-03-13

申请人： 锡安能量公司

发明人： Y·V·米哈伊利克 , M·G·拉勒米 , J·J·C·科佩拉

IPC分类号： H01M4/04 , H01M4/02 , H01M10/04 , H01M10/05

摘要： 本发明公开了电极结构及其生产方法。所公开的电极结构可通过将第一剥离层沉积于第一载体基质上而生产。可将第一保护层沉积于第一剥离层的表面上，然后可将第一电活性材料层沉积于第一保护层上。

2.

发明公开
受保护电极结构和方法有权

公开(公告)号：CN105051944A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480014718.4

申请日：2014-03-13

申请人： 锡安能量公司

发明人： Y·V·米哈伊利克 , M·G·拉勒米 , J·J·C·科佩拉

IPC分类号： H01M4/04 , H01M4/02 , H01M10/04 , H01M10/05

CPC分类号： H01M4/0402 , H01M2/168 , H01M4/0407 , H01M4/0423 , H01M4/0428 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M2300/0085

摘要： 本发明公开了电极结构及其生产方法。所公开的电极结构可通过将第一剥离层沉积于第一载体基质上而生产。可将第一保护层沉积于第一剥离层的表面上，然后可将第一电活性材料层沉积于第一保护层上。