-
公开(公告)号：CN110781024B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910930824.1
申请日：2019-09-29
申请人： 长安大学
IPC分类号： G06F11/10
摘要： 本发明属于计算机领域，公开了一种对称部分重复码的矩阵构造方法及故障节点修复方法。对称部分重复码的矩阵构造方法主要是根据爪形矩阵s1，构造调节矩阵s2，然后将爪形矩阵s1和调节矩阵s2对应位置上的元素相加，得到对称部分重复码的关联矩阵s，进而完成对称部分重复码的矩阵构造。所构造的对称部分重复码的系统存储率高，而且在修复单故障节点有多种修复度为2的修复方案。当任意两个节点发生故障也存在节点的修复度为2的修复方案。相比于传统的部分重复码，节点修复时磁盘I/O开销相对较小，能容两节点故障，且该码构造过程简单，极易推广，可操作性强。
-
公开(公告)号：CN113708780A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110931106.3
申请日：2021-08-13
申请人： 长安大学
IPC分类号： H03M13/47
摘要： 本发明公开了一种基于shadow的部分重复码构造方法，包括以下步骤：步骤1：将原始文件M分成k个原始数据块，对k个原始数据块进行(n,k)MDS编码得到n个编码数据块；步骤2：根据编码数据块的个数n构建集合X和集合ψ，其中，集合X包括n个不同元素，集合ψ包括t个子集φ，所述子集φ为集合X的(d+1)元子集，子集φ包含(d+1)个元素且每个子集φ内没有相同的元素；步骤3：获得集合ψ的影子集合其中，影子集合包括t组子影子集合，每组子影子集合包含(d+1)个集合φ'，集合φ'包含d个元素，集合φ'由删除子集φ中任一个元素后其余元素组成；步骤4：根据影子集合构造FR码。本发明构造出的FR码修复局部性较低且不会随着系统参数增加而增加，同时，可以根据系统需要选择合适的节点存储容量以及数据重复度。
-
-
-
公开(公告)号：CN110990188A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911134160.4
申请日：2019-11-19
申请人： 长安大学
IPC分类号： G06F11/10
摘要： 本发明公开了一种基于Hadamard矩阵的部分重复码的构造方法，该方法将原始文件M分成k个原始数据块，对k个原始数据块采用(n,k)MDS编码，生成n个编码块。根据编码块个数选取一个n+1阶的反对称Hadamard矩阵，再根据公式对Hadamard矩阵进行变换得到新矩阵，再根据此矩阵构造同构的FR码，然后再对矩阵进行删减得到另外一个新矩阵，利用此矩阵构造存储容量不同的异构FR码。利用Hadamard矩阵构造FR码更加简单直观，并且可以经过变换很容易的将同构FR码变成存储容量不同的异构FR码。
-
公开(公告)号：CN109947587A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910125393.1
申请日：2019-02-20
申请人： 长安大学
摘要： 本发明属于计算机领域，具体涉及非均匀故障保护的分组修复码构造方法及故障修复方法。分组修复码构造方法考虑到实际分布式存储系统中存在不同热度的文件，利用分组思想将整个条带分成长度依次递增的多个数据分组并在组内生成多个组编码块，并通过分组规模的选取为不同热度文件提供不同等级保护，进一步降低多故障节点的磁盘读取开销。该方法所存目标节点故障概率表征数据块故障概率并排序，为高故障概率数据节点提供更高等级保护。多节点故障修复方法在多节点故障修复时，选择先数据分组内修复后全局修复的整体修复原则，尽可能地降低了多节点修复时的磁盘读取开销。
-
公开(公告)号：CN108347306A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810217605.4
申请日：2018-03-16
申请人： 长安大学
CPC分类号： H04L1/0061 , H04L41/0663 , H04L67/1097
摘要： 本发明公开了一种分布式存储系统中类局部重构码编码及节点故障修复方法，分析其修复特点以及分布式存储系统对节点故障修复性能的要求，在增加部分存储开销的前提下，提供了一种所述的类局部重构码进行单节点故障修复的方法。在本发明构造的类局部重构码中，包含一个有局部校验块生成的全局校验块保证数据节点的修复性能，其他校验块全部有数据块通过异或运算编码生成。基于此编码结构，在单节点故障时只需连接较少的节点实现快速恢复，保证了数据文件的快速高效恢复，降低了修复带宽开销。
-
公开(公告)号：CN104993103B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510256384.8
申请日：2015-05-19
申请人： 长安大学
摘要： 本发明公开了一种介孔非晶SiOX/C纳米复合负极材料，其特征在于，所述介孔非晶SiOX/C纳米复合负极材料中，1≤X≤2，介孔孔径为2‑50纳米；其制备方法，包括以下步骤：首先，分别取大分子的机聚合物表面活性剂、含有sp2杂化碳的苯环的小分子有机物、水和稀盐酸混合均匀，恒温搅拌，生成混合溶液；然后，向混合溶液中滴加硅原料，剧烈搅拌后，将其静置反应，陈化后过滤得到的白色固体；最后，将白色固体经过室温干燥后，在惰性气氛中热处理，即得到所述介孔非晶SiOx/C纳米复合锂离子电池负极活性材料。
-
公开(公告)号：CN106776112A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710071734.2
申请日：2017-02-09
申请人： 长安大学
摘要： 本发明公开了一种基于Pyramid码的局部性修复编码方法，将Pyramid码的最小编码结构C作为基本编码结构，把分布式存储系统的存储节点根据Pyramid码的最小编码结构所需存储节点数进行分组。同时，本发明还公开了一种基于Pyramid码的局部性修复编码方法修复故障存储节点的方法。在本发明构造的基于Pyramid码的局部性修复编码结构中，局部修复组内存储节点的校验块全部由局部修复组内存储的数据块进行局部编码生成，基于此编码结构，当局部修复组中存在单节点和两节点故障时，都只需要通过连接局部修复组内有限的存活节点快速实现局部修复组内故障节点的数据重构，恢复出故障存储节点数据。
-
公开(公告)号：CN118260111A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410324386.5
申请日：2024-03-21
申请人： 长安大学
IPC分类号： G06F11/07
摘要： 本发明属于计算机技术领域，公开了一种低修复度的piggybacking框架设计及故障节点修复方法。设计方法：步骤1，选取参数为(k+r,k)系统MDS码作为基本码，子条带个数m为偶数，将前m/2个子条带与后m/2个子条带两两关联；步骤2，将所有符号分为六个区域；步骤3，将区域A中的信息节点尽可能均分为s组；完成对区域A中信息符号的嵌入；步骤4，至此完成了对区域E中校验符号的嵌入；步骤5，判断区域F中校验节点捎带的校验符号个数，完成对区域C中校验符号的嵌入。本发明同时考虑了信息节点和校验节点的有效修复，在保持较低修复度的情况下尽可能减小了故障节点的修复带宽，且子条带数较少，具有更好的实用性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
86 条记录 (耗时 0.028 秒)
