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公开(公告)号：CN117026332A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311143200.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 长安大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明一种钛合金上原位生长的二硫化钨/二氧化钛耐磨膜层及方法，所述将硅酸钠、六偏磷酸钠、氟化钾、草酸、柠檬酸铵和表面活性剂溶解到去离子水中，得到混合液，调节混合液的pH至5.8～6.5后加入钨酸钠和硫脲，得到电解液，以钛合金作阳极，在频率恒定的单极脉冲电源下，于电解液中进行微弧氧化处理，电压从0V线性增加至250V，保持1～2min后，再以每分钟施加10～15V的加压速率将电压从250V增加至420V，保持1～2分钟后电压降至0V，二硫化钨/二氧化钛耐磨膜层原位生长在钛合金上，可克服目前钛合金在高温条件下摩擦性能较差的缺点。
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