公开(公告)号：CN105591281B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201410560897.3

申请日：2014-10-21

申请人： 长春理工大学

发明人： 李辉 ,  都继瑶 ,  曲轶 ,  郭海侠 ,  石宝华 ,  高峰

IPC分类号： H01S5/125

摘要： 高功率1064nm分布布拉格反射器半导体激光器(DBR‑LD)属于半导体光电子器件领域，常规的半导体激光器输出功率易受环境温度影响。另外,分布反馈布拉格半导体激光器(DFB‑LD)需要二次外延生长，相比于DBR‑LD工艺过程复杂,影响了DFB‑LD在代替1064nm固体激光器和作为通信种子源方面的应用。本发明之一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅的制备工艺，通过在传统半导体激光器外延片P面有源区旁侧，经过全息光刻、干法刻蚀等工艺制作一阶布拉格光栅。有效地解决了DFB‑LD需二次外延，输出功率易受环境温度影响等问题，对促进分布布拉格反射器半导体激光器的发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN105406354A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410468409.6

申请日：2014-09-15

申请人： 长春理工大学

发明人： 曲轶 ,  郭海侠 ,  石宝华 ,  高峰 ,  李再金 ,  李辉 ,  乔忠良 ,  张晶

IPC分类号： H01S5/12

摘要： 本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅，涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于，利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长，利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光，经历显影、坚膜，最后利用体积配比为HCl:C2H6O2＝3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀，获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅，且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时，这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器，具有广泛的应用价值。

公开(公告)号：CN105591281A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410560897.3

申请日：2014-10-21

申请人： 长春理工大学

发明人： 李辉 ,  都继瑶 ,  曲轶 ,  郭海侠 ,  石宝华 ,  高峰

IPC分类号： H01S5/125

摘要： 高功率1064nm分布布拉格反射器半导体激光器(DBR-LD)属于半导体光电子器件领域，常规的半导体激光器输出功率易受环境温度影响。另外,分布反馈布拉格半导体激光器(DFB-LD)需要二次外延生长，相比于DBR-LD工艺过程复杂,影响了DFB-LD在代替1064nm固体激光器和作为通信种子源方面的应用。本发明之一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅的制备工艺，通过在传统半导体激光器外延片P面有源区旁侧，经过全息光刻、干法刻蚀等工艺制作一阶布拉格光栅。有效地解决了DFB-LD需二次外延，输出功率易受环境温度影响等问题，对促进分布布拉格反射器半导体激光器的发展具有重要意义。