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公开(公告)号：CN119291988A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310813878.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Inventor： 吕强
Abstract: 本公开提供了一种光罩的制备方法及光罩，涉及半导体制造技术领域，该光罩的制备包括提供基板，所述基板包括依次叠置的基底、半透层以及遮光层，所述基板具有第一区域和第二区域，于相同的图案化制程中，在所述第一区域形成第一子光罩，在所述第二区域形成第二子光罩，所述第一子光罩与所述第二子光罩不同。本公开提供的方法简化了在同一块基板上制备不同的第一子光罩和第二子光罩的制备工艺，从而节约了制造混合光罩的生产成本。
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