公开(公告)号：CN116106400A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310119699.2

申请日：2023-02-03

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 徐高峰 ,  周芳芳 ,  王欣 ,  丁怡萱

IPC分类号： G01N27/64

摘要： 本公开提供了一种膜层掺杂元素含量的测试方法、装置、设备及存储介质，测试方法包括：提取标准样品及待测样品；基于预设测试条件对预设膜层进行测试，获得预设膜层中掺杂元素的离子强度作为第一参考强度，以及预设膜层中半导体基材元素的离子强度作为第二参考强度；根据参考含量、第一参考强度和第二参考强度，获取预设膜层处于预设测试条件下的相对敏感因子；获取待测膜层中掺杂元素的离子强度作为第一目标强度，以及半导体基材元素的离子强度作为第二目标强度；根据相对敏感因子、第一目标强度和第二目标强度，获得待测膜层的掺杂元素含量。本公开仅通过一个标准样品获得相对敏感因子，在确保测试准确度的同时，提高测试效率，降低测试成本。

公开(公告)号：CN116435162A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310386012.1

申请日：2023-04-07

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 王欣 ,  崔慧成 ,  刘传涛

IPC分类号： H01J37/20 ,  G01N23/04 ,  H01J37/26

摘要： 本公开涉及一种膜层承载结构及其形成方法、透射电子显微镜分析方法。所述膜层承载结构包括：基底，所述基底中具有沿第一方向贯穿所述基底的通孔，所述通孔的孔径为纳米级别，所述第一方向垂直于所述基底的顶面；支撑层，所述支撑层位于所述基底的顶面上，用于承载待测膜层，用于表征所述待测膜层的电子束能够穿透所述支撑层，且所述基底能够遮蔽所述电子束。本公开实现了对待测膜层原子尺度透射电子显微镜图像的获取，且简化了对待测膜层进行透射电子显微镜分析的操作。

公开(公告)号：CN116429805A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310386004.7

申请日：2023-04-07

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 王欣 ,  崔慧成 ,  徐高峰

IPC分类号： G01N23/20025 ,  G01N24/10 ,  G01N21/65

摘要： 本公开涉及一种用于测试分析的承载装置及其形成方法、测试分析方法。所述用于测试分析的承载装置包括：基底，所述基底中具有沿第一方向贯穿所述基底的通孔，所述第一方向垂直于所述基底的顶面；支撑层，所述支撑层位于所述基底的顶面上，用于承载待测膜层，所述待测膜层产生的样品信号能够穿过所述支撑层和所述通孔，且所述基底能够遮蔽所述样品信号。本公开简化了对待测膜层测试分析的操作，提高了对待测膜层分析的效率，且能够实现对具有亚纳米级厚度的所述待测膜层的表征。

公开(公告)号：CN115840062A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211176543.X

申请日：2022-09-26

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 徐高峰 ,  王欣

IPC分类号： G01Q30/20 ,  H01L23/544

摘要： 本公开实施例提供一种原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片。该制备方法包括：提供基底，基底具有阵列区和外围区；在阵列区执行第一半导体工艺，以形成第一半导体结构，在外围区同步执行第一半导体工艺中形成第一半导体结构的材料的工艺，在外围区形成堆叠的材料层；提取材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品。本公开实施例制备的样品，材料分布均匀，降低制备难度，简化工艺，提高了样品的完整性及表面的光洁度，提高了测试结果的准确度。

公开(公告)号：CN115931933A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310016252.2

申请日：2023-01-06

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 刘传涛 ,  王欣

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N1/28

摘要： 本公开是关于一种透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构，透射电子显微镜栅氧样品的制作方法包括：提供样品；于样品上选择待检测区；暴露有源区；暴露单排有源区。本公开通过依次沿待检测区长度方向去除初始保护层周边部分样品、沿样品上有源区排布方向去除部分样品，使样品上的有源区暴露出来，通过调整样品相对于透射电子显微镜发出的电子束的角度，例如使透射电子显微镜的机台转动同待检测区长度方向与样品上位线长度方向的夹角一致的角度，即可实现该电子束垂直于样品上的位线长度方向或垂直于样品上的有源区排布方向，达到单一样品上存在沿有源区排布方向的切面和位线长度方向的切面的目的，进而通过单次制样进行不同角度的检测。

公开(公告)号：CN116297585A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310283899.1

申请日：2023-03-20

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 崔鸿京 ,  丁一鸣 ,  王欣

IPC分类号： G01N23/20025 ,  H01L21/687 ,  G01N23/207

摘要： 本公开提供了一种半导体测试夹具及半导体测试设备，半导体测试夹具包括治具和至少一组夹持组件，治具具有容置空间，每组夹持组件包括两个夹持机构，且两个夹持机构相对设置，夹持机构与治具滑动连接，夹持机构能够与待测试件的侧边抵接，以将待测试件固定于容置空间。本公开中，夹持机构能够在容置空间中滑动，从而以夹紧抵接待测试件的侧边的方式进行固定，提高了拆装待测试件的便捷性，减少了拆装耗时，加快了研发速度；并且，两个夹持机构在容置空间中的位置可以任意调节，从而能够固定不同规格的待测试件，还可以任意调节待测试件在容置空间中的固定位置，以使得待测试件与测试射线对准，提高了测试结果的准确性和可靠性。