一种低色散单模光纤
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110749953B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201911038440.5

    申请日:2019-10-29

    IPC分类号: G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种低色散单模光纤,包括有纤芯层和包层,其特征在于芯层相对折射率差Δ1为0.30%~0.65%,半径R1为2.5μm~4.5μm,包层由内至外分为三个包层分层和一个外包层,包覆芯层的为第一包层分层,第一包层分层相对折射率差Δ2为‑0.70%~‑0.30%,半径R2为4.5μm~7.0μm,第二包层分层包覆第一包层分层,第二包层分层相对折射率差Δ3为‑0.20%~0.25%,半径R3为7.0μm~12.0μm,第三包层分层包覆第二包层分层,第三包层分层相对折射率差Δ4为‑0.60%~0.00%,半径R4为10.0μm~20.0μm;外包层包覆第三包层分层,外包层为纯二氧化硅玻璃层。该光纤光缆截止波长小于1260nm,在1260nm~1460nm波段整体色散较低,且衰减性能良好。特别地适用于1260nm~1460nm波段的WDM传输系统。

    一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤

    公开(公告)号:CN109725382B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910170385.9

    申请日:2019-03-07

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤,包括有芯层和包层,其特征在于的芯层为三层,第一芯层的Δ1为‑0.7%~‑0.2%,R1为3.5μm~7μm,第二芯层的Δ2为0.0%~0.5%,R2为5.5μm~9μm,第三芯层的Δ3为‑0.6%~0.1%,R3为7.5μm~11.5μm,且Δ2>Δ3>Δ1,3μm≤R3‑R1≤6μm,芯层外包覆有包层,包层由一层下陷包层构成,或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成,下陷包层为紧密围绕芯层的包层,其Δ4为‑0.9%~‑0.6%,R4为38μm~62.5μm。本发明在1550nm通信波段最高支持三个阶数的OAM模式,不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰,相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。

    一种用于模分复用系统的超低衰减少模光纤

    公开(公告)号:CN107247304B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201710599716.1

    申请日:2017-07-21

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及用于模分复用系统的超低衰减少模光纤,包括芯层和包层,其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.02%~0.04%,R1为8.2~10μm;所述的包层由内向外依次包括第一内包层、下陷内包层、第二内包层和外包层,第一内包层相对折射率差Δ2为‑0.36%~‑0.33%,R2为11μm~15μm,下陷内包层紧密相对折射率差Δ3为‑0.85%~‑0.6%,R3为16.5μm~22μm,第二内包层紧密包绕下陷包层,其相对折射率差Δ4为‑0.37%~‑0.34%,R4为19μm~35μm,外包层紧密围绕第二内包层,为纯二氧化硅玻璃层。本发明的光纤在1550nm支持四个稳定的线偏振光传输模式,且每个模式均具有超低衰减,又具有较小的差分模群时延,本发明工艺简单,便于制作。

    一种通信用抗弯多芯光纤

    公开(公告)号:CN105425335A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510952392.6

    申请日:2015-12-17

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    CPC分类号: G02B6/02042 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种通信用抗弯多芯光纤,包括有7个纤芯区和1个总外包层,其特征在于所述的7个纤芯区包括1个中心纤芯区和6个等距均布在中心纤芯区外周的外纤芯区,每个纤芯区的芯包层结构相同,所述的纤芯区包括有纤芯和包绕芯层的内包层、下陷包层,纤芯区以外的部分为总外包层,所述的纤芯半径a为3.5~4.0μm,芯层相对折射率差△1为0.35%~0.37%,所述的内包层半径b为8~10μm,内包层相对折射率差△2为-0.05%~+0.05%,所述的下陷包层半径c为14~17μm,下陷包层相对折射率差△3为-0.7%~-0.5%。本发明具备优异的抗弯曲性能,并抑制和降低了各纤芯之间的串扰影响,串扰性能在弯曲条件下完全满足高速传输的误码率要求,具备良好的实用性。

    一种抗弯曲单模光纤
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110488411B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201910762937.5

    申请日:2019-08-19

    IPC分类号: G02B6/036 G02B6/02

    摘要: 本发明涉及一种抗弯曲单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层折射率为抛物线分布,分布指数α在2.2~2.5,芯层直径2R1为7.2μm~8.2μm,芯层最高点相对折射率差Δ1max为0.360%~0.450%,包层从内至外包括内包层、下陷包层、辅助下陷包层和外包层,内包层直径2R2为16.0μm~19.0μm,Δ2为‑0.06%~0.00%,下陷包层直径2R3为29.0μm~34.0μm,Δ3为‑0.30%~‑0.50%,辅助下陷包层直径2R4为34.0~48.0um,Δ4为‑0.14%~‑0.08%,外包层为纯二氧化硅外包层。本发明通过优化两层下陷包层折射率深度和宽度,较好的限制了弯曲状态下基模泄露情况,使得光纤在小弯曲半径和大弯曲半径下均有较好的弯曲性能,且光纤在长波长处的抗弯曲性能也较好,满足下一代PON向长波长演进的升级需求。

    一种低衰减渐变型轨道角动量光纤

    公开(公告)号:CN110333572B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910300219.6

    申请日:2019-04-15

    IPC分类号: G02B6/028 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种低衰减渐变型轨道角动量光纤,包括有芯层和包层,芯层半径R1为3.5~5.5μm,Δ1为‑0.08%~0.08%,芯层外包覆环形芯层、下陷包层和外包层,环形芯层呈渐变形,且顶部呈渐变下凹状,从内向外依次分为内环层、下凹层和外环层三部分,内环层的半径R2为4.5~6.5μm,Δ2为0.7%~1%,下凹层半径R3为8~13μm,Δ3为0.6%~0.9%,外环层的半径R4为9~15μm,Δ4为0.7%~1%,下陷包层半径R5为11~16μm,Δ5为‑0.6%~‑0.3%,上述相对折射率差为光纤各层与外包层的相对折射率差,外包层为相对纯二氧化硅层为负折射率的外包层。本发明不仅能支持四个模式组的长距离信号传输,衰减低,而且光纤的串扰、各模式的宏弯和微弯损耗等综合性能好。

    一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤

    公开(公告)号:CN109725382A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201910170385.9

    申请日:2019-03-07

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤,包括有芯层和包层,其特征在于的芯层为三层,第一芯层的Δ1为-0.7%~-0.2%,R1为3.5μm~7μm,第二芯层的Δ2为0.0%~0.5%,R2为5.5μm~9μm,第三芯层的Δ3为-0.6%~0.1%,R3为7.5μm~11.5μm,且Δ2>Δ3>Δ1,3μm≤R3-R1≤6μm,芯层外包覆有包层,包层由一层下陷包层构成,或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成,下陷包层为紧密围绕芯层的包层,其Δ4为-0.9%~-0.6%,R4为38μm~62.5μm。本发明在1550nm通信波段最高支持三个阶数的OAM模式,不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰,相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。