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公开(公告)号：CN113946012B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111285806.6
申请日：2021-11-02
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC分类号： G02B6/036 , G02B6/028 , C03C25/54 , C03C25/42 , C03C25/285 , C03C25/32 , C03C25/12 , C03C25/1065
摘要： 本发明涉及一种抗弯曲光纤及其制备方法，包括有芯层和包覆芯层的内包层，内包层外包覆有外包层，其特征在于所述的外包层为氟硼钛混合掺杂的纳米多孔二氧化硅薄膜层，所述外包层的相对折射率差Δ3为‑0.70％～‑1.60％。外包层由氟硼钛混合掺杂的二氧化硅溶胶‑凝胶涂覆后经高温固化而成。本发明折射率低，抗弯曲性能好；可适于弯曲性能极高的场合和环境使用；溶胶‑凝胶法制备纳米多孔二氧化硅薄膜只需要简单的提拉装置和固化炉，不需要复杂的真空系统，其设备简单，原材料成本低廉。薄膜厚度和成分易控制、与玻璃结合力强、热稳定性优异，掺杂和折射率易控制。掺杂和折射率易控制，拉丝和外包层涂覆一并合成，制作成本低。
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公开(公告)号：CN104865636A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510348556.4
申请日：2015-06-23
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/0281 , G02B6/0365
摘要： 本发明提供一种芯区优化的多模光纤，包括纤芯和包层，纤芯被包层所围绕，设在光纤纤芯半径的范围内，纤芯中某点的折射率剖面用关于该点到光纤纤芯中心的距离的函数表示，其中的修正函数包括一个或多个关于距离的幂函数；还可以设置折射率凹陷层，包层分为内包层和外包层，从中心到外周依次为纤芯、内包层、折射率凹陷层和外包层。本发明纤芯的折射率剖面在原有的折射率剖面分布上进行了修正，可以显著提高光纤的带宽，对光通信技术应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109608031A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910126325.7
申请日：2019-02-20
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC分类号： C03B37/018
摘要： 本发明涉及一种PCVD工艺制备光纤预制棒的方法，用纯石英玻璃衬管为基管，经清洗干燥后，装夹于PCVD沉积机床上，基管穿过微波谐振腔并置于保温炉内，两端由旋转夹头装夹，保温炉提供800~1200℃的沉积环境温度，谐振腔产生高频功率沿基管轴向往复移动进行PCVD沉积，参与沉积的混合气体持续从基管的一端进入管内，基管的另一端为出气端，出气端通过管道连接真空泵，沉积完成后，将沉积完衬管进行熔缩得到实心预制棒，其特征在于所述的沉积前的基管内孔全部或部分为锥孔段。本发明实施简便，实用性强，能弥补管内沉积物质分布差异导致的PCVD沉积不均匀，提高光纤预制棒轴向参数均匀性，从而提升光纤性能。
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公开(公告)号：CN109358391A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201810571462.7
申请日：2018-06-06
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种低宏弯损耗的单模耦合光纤，自内至外依次包括：内芯层、外芯层、内包层、过渡包层、以及外包层；所述外芯层，其折射率剖面为阶梯状从内芯层光纤折射率过渡到内包层光纤折射率；所述过渡包层其折射率剖面为阶梯状从内包层过渡到外包层。本发明光纤的芯层折射率为阶梯状结构，使从芯层到包层的光纤材料由高浓度锗掺杂线性减小，芯层中的掺杂呈线性变化而不是突变。内包层和外包层直径引入过渡包层，使光纤材料由较多的氟掺杂平缓过渡到纯石英材料，减小光纤在热处理过程中由于材料组分突变带来的高附加损耗。
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公开(公告)号：CN104865636B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510348556.4
申请日：2015-06-23
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
摘要： 本发明提供一种芯区优化的多模光纤，包括纤芯和包层，纤芯被包层所围绕，设在光纤纤芯半径的范围内，纤芯中某点的折射率剖面用关于该点到光纤纤芯中心的距离的函数表示，其中的修正函数包括一个或多个关于距离的幂函数；还可以设置折射率凹陷层，包层分为内包层和外包层，从中心到外周依次为纤芯、内包层、折射率凹陷层和外包层。本发明纤芯的折射率剖面在原有的折射率剖面分布上进行了修正，可以显著提高光纤的带宽，对光通信技术应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104698535A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510145309.4
申请日：2015-03-31
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC分类号： G02B6/036 , G02B6/0281 , G02B6/0283 , G02B6/03644
摘要： 本发明涉及一种弯曲不敏感多模光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.2，其特征在于芯层的半径R1为23~27μm，芯层中心位最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%，芯层边缘位最小相对折射率差Δ1min为-0.06%~-0.03%，所述的包层由内到外依次为第一内包层、第二内包层、下陷包层以及外包层，所述的第一内包层宽度（R2-R1）为0.5~2μm，相对折射率差Δ2为-0.07%~-0.03%，所述的第二内包层宽度（R3-R2）为1.8~2.2μm，相对折射率差Δ3为-0.03%~0.03%，所述的下陷包层宽度（R4-R3）为2.5~6.0μm，相对折射率差Δ4为-1.0%~-0.3%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明结构设计和材料组成合理，工艺控制方便，易于规模化生产，并具有抗弯曲、高带宽的优点。
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公开(公告)号：CN113946012A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111285806.6
申请日：2021-11-02
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC分类号： G02B6/036 , G02B6/028 , C03C25/54 , C03C25/42 , C03C25/285 , C03C25/32 , C03C25/12 , C03C25/1065
摘要： 本发明涉及一种抗弯曲光纤及其制备方法，包括有芯层和包覆芯层的内包层，内包层外包覆有外包层，其特征在于所述的外包层为氟硼钛混合掺杂的纳米多孔二氧化硅薄膜层，所述外包层的相对折射率差Δ3为‑0.70％～‑1.60％。外包层由氟硼钛混合掺杂的二氧化硅溶胶‑凝胶涂覆后经高温固化而成。本发明折射率低，抗弯曲性能好；可适于弯曲性能极高的场合和环境使用；溶胶‑凝胶法制备纳米多孔二氧化硅薄膜只需要简单的提拉装置和固化炉，不需要复杂的真空系统，其设备简单，原材料成本低廉。薄膜厚度和成分易控制、与玻璃结合力强、热稳定性优异，掺杂和折射率易控制。掺杂和折射率易控制，拉丝和外包层涂覆一并合成，制作成本低。
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公开(公告)号：CN109358391B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810571462.7
申请日：2018-06-06
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种低宏弯损耗的单模耦合光纤，自内至外依次包括：内芯层、外芯层、内包层、过渡包层、以及外包层；所述外芯层，其折射率剖面为阶梯状从内芯层光纤折射率过渡到内包层光纤折射率；所述过渡包层其折射率剖面为阶梯状从内包层过渡到外包层。本发明光纤的芯层折射率为阶梯状结构，使从芯层到包层的光纤材料由高浓度锗掺杂线性减小，芯层中的掺杂呈线性变化而不是突变。内包层和外包层直径引入过渡包层，使光纤材料由较多的氟掺杂平缓过渡到纯石英材料，减小光纤在热处理过程中由于材料组分突变带来的高附加损耗。
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公开(公告)号：CN104391351B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410684893.6
申请日：2014-11-25
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/0365
摘要： 本发明涉及一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，α为1.9～2.2，芯层的半径R1为23~27μm，最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层，所述的内包层宽度单边（R2‑R1）为1~3μm，相对折射率差Δ2为‑0.05%~0.1%，所述的下陷包层宽度单边（R3‑R2）为2~5μm，相对折射率差Δ3为‑1%~‑0.3%，所述的芯层为锗氟Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中芯层中心位F掺杂的贡献量ΔF1min小于等于0%，芯层边缘位F掺杂的贡献量ΔF1max大于等于‑0.45%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的材料组成和结构设计合理，具有抗弯曲、高带宽等优点，可广泛用于接入网及小型化光器件中。
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公开(公告)号：CN104391351A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410684893.6
申请日：2014-11-25
申请人： 长飞光纤光缆股份有限公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/0365 , G02B6/0281 , G02B6/03661 , G02B6/03666
摘要： 本发明涉及一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，α为1.9～2.2，芯层的半径R1为23~27μm，最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层，所述的内包层宽度单边（R2-R1）为1~3μm，相对折射率差Δ2为-0.05%~0.1%，所述的下陷包层宽度单边（R3-R2）为2~5μm，相对折射率差Δ3为-1%~-0.3%，所述的芯层为锗氟Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中芯层中心位F掺杂的贡献量ΔF1min小于等于0%，芯层边缘位F掺杂的贡献量ΔF1max大于等于-0.45%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的材料组成和结构设计合理，具有抗弯曲、高带宽等优点，可广泛用于接入网及小型化光器件中。
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